碳化矽（SiC）電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業一致觀點。
而比亞迪早已開始佈局，如今已是國內首批自主研發並量產應用SiC器件的半導體公司。
據瞭解，在SiC器件領域，比亞迪半導體已實現SiC模組在新能源汽車高階車型電機驅動控制器中的規模化應用，其自主研發製造的高效能碳化矽功率模組，是全球首家、國內唯一實現在電機驅動控制器中大批次裝車的SiC三相全橋模組。
比亞迪半導體碳化矽功率模組是一款三相全橋拓撲結構的灌封全碳化矽功率模組，主要應用於新能源汽車電機驅動控制器，主要擁有以下特點：
採用奈米銀燒結工藝代替傳統軟釺焊料焊接工藝，提升了高溫可靠性，充分發揮SiC高工作結溫效能。相比傳統焊接產品，可靠性壽命提升5倍以上，連線層熱阻降低95%；
SiC晶片正面互聯採用先進的Cu clip bonding工藝，提高了SiC模組的過流能力，增強了散熱效能，降低了晶片的溫升；
採用超聲波焊接工藝連線絕緣基板金屬塊與外部電極，減小模組雜散電感，並增強過流及散熱能力；
採用氮化矽AMB（活性金屬釺焊）陶瓷覆銅基板，大幅降低熱阻，良好的散熱提升了晶片使用壽命；
此外，比亞迪半導體SiC模組可滿足20KHz以上的使用頻率，使車主暢想靜音駕駛。
SiC功率模組亮點頻顯，不難發現，其超低的開關及導通損耗、超高的工作結溫等特性，在實現系統高效率和高頻化方面起到了決定性作用。SiC功率模組不僅僅帶來電控效率、續航能力的提升，同時使功率密度增加至少一倍，輸出功率可達250KW以上，且同功率水平下，模組體積較IGBT縮小一半以上。
比亞迪表示，該該碳化矽功率模組已於2020年搭載比亞迪車型“漢EV”上市，大幅提升了電驅的效能表現，整車實現百公里加速3。9s。
