SiC IGBT-PET的未來?

SiC IGBT-PET的未來?

而我們前面提到的第三代寬禁帶半導體SiC的優點,擊穿電場特別強、禁頻寬度大、電子飽和漂移速度快、熱導率高等,使其能夠滿足更高頻率、更高耐壓、更高功率等場合,可以使得目前電力電子變壓器PET突破瓶頸,更上一層樓~有人就會問,那為什麼SiC M...

2023-01-01
SiC | 導通電阻

SiC | 導通電阻

上面的示意圖是平面雙注入的DIMMOSFET的,為了改善溝道遷移率對SiC MOS溝道電阻的限制,我們可以採用下面的方法:★增強溝道流動性★減小溝道長度★減小單元間距減小溝道長度有利於降低導通電阻,但是需要注意溝道效應的影響,否則閾值電壓會...

2022-12-31
SiC 未來可期

SiC 未來可期

在眾多晶體結構中,4H-SiC成為功率器件的選擇,因為其可以獲得高質量的外延晶片和卓越的物理特性,比如高的擊穿電場強度...

2022-12-31
SiC | 器件特點

SiC | 器件特點

下圖是開關器件以及二極體的理想狀態和實際狀態的對比圖:現實與理想的差異,對於功率器件的主要要求包括:✦低導通電壓(低導通電阻)✦低漏電流✦能夠以最小的電流/電壓進行快速切換這些與導通損耗、關斷損耗和開關損耗有著直接的關係...

2022-12-31
半導體SIC專家交流會

半導體SIC專家交流會

今年年中他們給我們一款25毫歐的晶片,我們自己的模組是用15毫歐的晶片做並聯,做成2-3毫歐的模組,並聯6顆做3毫歐,並聯8顆做2毫歐,如果是25毫歐就至少並聯到10顆以上,我們給他們提出了要求,現在他們也給我們拿出了兩款不同尺寸的15毫歐...

2022-11-30
1200V 1040A,比亞迪再推高功率SIC模組

1200V 1040A,比亞迪再推高功率SIC模組

比亞迪新推出1200V 1040A SIC 模組瞭解新能源汽車的朋友都知道,新能源汽車驅動效率對整車的能耗、續航有著至關重要的影響,而SIC功率模組直接影響著驅動效率,而此前這個模組的核心技術一直掌握在諸如英飛凌等國外公司手中,國內普遍還處...

2022-08-05
現代的E-GMP 800V系統背後Vitesco Rohm

現代的E-GMP 800V系統背後Vitesco Rohm

ST是基於特斯拉大量使用400V的分立器件,而這次現代起亞的上量,也會拉開800V SiC器件的使用,圖5 碳化矽市場的需求之前我們看到碳化矽材料的市佔率,Cree佔了很大的一塊(供應英飛凌、ST、ABB和ZF),整體的擴張節奏其實主要跟著...

2022-05-23