深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
圖12在相同的設定和開關條件下,比較了相同晶片的4引腳TO247和3引腳TO247 SiC MOSFET封裝,強調了柵極反饋的影響...
圖12在相同的設定和開關條件下,比較了相同晶片的4引腳TO247和3引腳TO247 SiC MOSFET封裝,強調了柵極反饋的影響...
並且SiC的驅動電路和控制方式和Si的並沒有太大的差異,所以在UPS中,SiC的使用能夠帶來很多的優勢,從而降低成本...
SiC同質外延生長的方法包括蒸發生長法、分子束外延、液相外延和CVD生長技術...
而我們前面提到的第三代寬禁帶半導體SiC的優點,擊穿電場特別強、禁頻寬度大、電子飽和漂移速度快、熱導率高等,使其能夠滿足更高頻率、更高耐壓、更高功率等場合,可以使得目前電力電子變壓器PET突破瓶頸,更上一層樓~有人就會問,那為什麼SiC M...
上面的示意圖是平面雙注入的DIMMOSFET的,為了改善溝道遷移率對SiC MOS溝道電阻的限制,我們可以採用下面的方法:★增強溝道流動性★減小溝道長度★減小單元間距減小溝道長度有利於降低導通電阻,但是需要注意溝道效應的影響,否則閾值電壓會...
在眾多晶體結構中,4H-SiC成為功率器件的選擇,因為其可以獲得高質量的外延晶片和卓越的物理特性,比如高的擊穿電場強度...
下圖是開關器件以及二極體的理想狀態和實際狀態的對比圖:現實與理想的差異,對於功率器件的主要要求包括:✦低導通電壓(低導通電阻)✦低漏電流✦能夠以最小的電流/電壓進行快速切換這些與導通損耗、關斷損耗和開關損耗有著直接的關係...
今年年中他們給我們一款25毫歐的晶片,我們自己的模組是用15毫歐的晶片做並聯,做成2-3毫歐的模組,並聯6顆做3毫歐,並聯8顆做2毫歐,如果是25毫歐就至少並聯到10顆以上,我們給他們提出了要求,現在他們也給我們拿出了兩款不同尺寸的15毫歐...
答案是提高了電壓小鵬G9是800伏高電壓平臺,在保證高溫的元兇,電流不大幅增加的情況下,電壓翻倍同樣也能讓充電功率翻倍,我們剛才說,矽基IGBT功率元器件的耐壓能力有限,所以小鵬G9採用的是成本更高的SIC,也就是碳化矽器件,屬於第三代半導...
比亞迪新推出1200V 1040A SIC 模組瞭解新能源汽車的朋友都知道,新能源汽車驅動效率對整車的能耗、續航有著至關重要的影響,而SIC功率模組直接影響著驅動效率,而此前這個模組的核心技術一直掌握在諸如英飛凌等國外公司手中,國內普遍還處...
如果可以找到電機和逆變器的兩條隨開關頻率相反運行的損耗曲線之間的最佳平衡,則 WLTP 系統級(800 V Si 系統與 800 V SiC 系統相比)的效率可能提高 4 % 至 8 %)...
汽車事件一:吳周濤任北京現代常務副總日前,北京現代進行了新一輪人事調整:北汽集團副總經理鞏月瓊出任北京現代董事長,吳周濤出任北京現代董事、常務副總經理,戚曉暉出任北京現代銷售本部副本部長...
近日其製造的SiC二極體首批入選《汽車晶片推廣應用推薦目錄》,標誌著三安半導體車規級功率器件正式“上車”...
ST是基於特斯拉大量使用400V的分立器件,而這次現代起亞的上量,也會拉開800V SiC器件的使用,圖5 碳化矽市場的需求之前我們看到碳化矽材料的市佔率,Cree佔了很大的一塊(供應英飛凌、ST、ABB和ZF),整體的擴張節奏其實主要跟著...
大咖觀察簡單總結一下,800V高壓平臺,大電流液冷充電系統,SiC平臺,基於鐳射雷達的更高階自動駕駛,這些其實是現階段幾乎所有電動新車型在釋出會上“必備”的產品點...
若考慮系統成本(周邊的散熱、基板等)和能耗等因素,SiC產品已經具備一定競爭力,隨著產業鏈技術更加成熟和產能不斷擴充,未來在下游新能源汽車、光伏逆變、消費類電子等市場應用有望加速滲透...
按照Cree給出來的資料參考,如下圖所示:功率密度和效率:▲圖3...
日本先進半導體制造商ROHM也於2021年9月與吉利汽車達成合作,後者將使用ROHM提供的SiC功率器件實現高效的逆變效率和充電效能,從而進一步提高使用者體驗...
停售燃油車的15個月之前,比亞迪重磅釋出了一款發動機...
車端部署搭載800V高壓SiC平臺的量產車型,樁端將率先量產鋪設480kW高壓超充樁,站端部署自研的儲能充電技術,一次儲能可以滿足30輛車的不間斷大功率超充需求...