抓住第三代半導體核心材料碳化矽，中國的機會來了
碳化矽，第三代半導體核心材料，在射頻器件、功率器件、新能源汽車等重要領域都有應用場景，市場空間高達百億...
又一家碳化矽企業將啟動上市？
1月13日，東莞政府宣佈，認定東莞天域等74家企業為東莞市第十五批上市後備企業，並且要求各機關單位落實相關資助（獎勵），完善促進企業上市的配套服務...
理想汽車入局 碳化矽晶片為什麼這麼香？
除此之外，理想汽車佈局碳化矽晶片還有一個重要原因，那就是目前新能源汽車行業看上去一直在進步，但在很多功能與配置方面其實已經接近極限，必須尋找新的增長點...
搭載於蔚來首款轎車ET7 蔚來第二代電驅動系統核心資訊
更安靜：電驅動噪聲降低5～15dB相比於160kW電驅系統，透過懸置融合控制的EDS總成模態最佳化、電機非均勻氣隙及高正旋氣隙磁密、齒軸結構最佳化設計和控制器諧波注入與控制策略的最佳化，在ET7上實現了更好的NVH效果，車內綜合工況噪音進一...
冷觀碳化矽“上車”熱潮
比亞迪半導體、派恩傑、中車時代電氣、基本半導體等國內碳化矽功率器件供應商的產品批次應用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化矽專案開始投建，我國初步形成了從襯底、外延片到器件、模組較為完整的產品供應鏈...
蔚來新一代電驅系統：對使用者有益的事，做，且要儘快做
參觀當天，蔚來高階副總裁曾澍湘（Alan ZENG）、電驅系統與整合部負責人畢路（Richy Bl）、智慧功率電子系統部負責人洪文成（Wilson HONG）與媒體分享了下一代搭載於ET7的動力系統：前驅180kW永磁同步電機 + 後驅30...
現代的E-GMP 800V系統背後Vitesco Rohm
ST是基於特斯拉大量使用400V的分立器件，而這次現代起亞的上量，也會拉開800V SiC器件的使用，圖5 碳化矽市場的需求之前我們看到碳化矽材料的市佔率，Cree佔了很大的一塊（供應英飛凌、ST、ABB和ZF），整體的擴張節奏其實主要跟著...
芯聚能碳化矽主驅模組正式量產上車
圖源：芯聚能官方據介紹，此次登陸smart車型的碳化矽模組為芯聚能APD系列產品，自專案啟動初期即與整車主機廠和國際領先的晶片提供商形成緊密戰略合作關係，攜手共進，完成了包括AQG324及整車耐久測試在內的一系列嚴苛測試，並最終實現量產...
華為持股超6%！碳化矽第一股上市，市值近370億元
其中，天嶽先進董事長兼總經理宗豔民作為公司核心技術人員，截至2021年6月末，宗豔民為37項發明專利、101項實用新型專利的聯合發明人，主持參與過多項省部級以上重大科研及產業化攻關專案...
產業丨碳化矽將迎來爆發型增長
日本先進半導體制造商ROHM也於2021年9月與吉利汽車達成合作，後者將使用ROHM提供的SiC功率器件實現高效的逆變效率和充電效能，從而進一步提高使用者體驗...
聚碳矽烷應用的研究進展
聚碳矽烷的應用（1）碳化矽纖維SiC 纖維具有高強度、低密度、耐高溫、抗氧化、 耐腐蝕、防老化等優良的效能，且與陶瓷基體的相容性良好，是陶瓷基複合材料增強體材料不錯的選擇...
碳化矽功率MOSFET可靠性綜述
儘管碳化矽材料具有極高的擊穿電場，這並不意味著相關器件就有一定有可靠的高壓阻斷能力，不同的器件結構會帶來很多不同問題...
碳化矽在氫燃料電池汽車中的應用
隨著碳化矽等寬禁帶半導體的出現及應用，更好的解決了這個問題，碳化矽具有“高頻”、“高耐壓”、“低導阻”特性，使功率半導體控制裝置獲得更高的開關頻率、更高的效率和更小的體積，有助於燃料電池的高壓輔助系統提升功率密度和整合度...
三安光電：長續航新能源車型中，碳化矽器件或將100％滲透
陳東坡認為，碳化矽在長續航里程的車型裡面優先滲透，因為長續航里程的車型的匯入驅動力比較強，預計在2023-2024年，這一類車基本上80-90%，甚至100%都會匯入碳化矽器件...
長城汽車戰略領投同光股份，正式進軍第三代半導體核心產業
長城汽車入股同光股份後，雙方合作將不斷深化，推動第三代半導體領域的技術積澱，促進半導體產業鏈垂直佈局，並加快同光股份的研發與擴產步伐，壯大企業實力，獲取更多機遇，形成更加集聚的發展格局和更加完善的產業鏈條，為新能源汽車產業發展提供重要支撐...
如何驅動一輛蔚來ET7？
基於碳化矽設計永磁同步電機的控制器，可以大幅提升系統效率，以 ET7 的 180kW 永磁同步電機的引數來說，整個電機的綜合損耗相比前代降低了 4%-6%，另外，由於碳化矽元器件在小電流工作狀態下效率更高，這意味著 ET7 在絕大多數城市工...
百公里加速3.9秒的電動車
高效能碳化矽電機控制模組創造新紀錄的漢EV裝備了最大轉速超過15000轉/分的高轉速驅動電機總成，其電機控制器首次使用了比亞迪自主研發並製造的高效能碳化矽MOSFET控制模組，碳化矽模組能夠降低內阻，增加電控系統的過流能力，讓電機將功率與扭...
特斯拉狂奔背後的半導體
訓練節點的框圖不同於FSD晶片，D1 晶片採用臺積電7nm製造工藝，核心面積達645mm2，熱設計功耗僅為400W，集成了四個64位超標量CPU核心，擁有多達354個訓練節點，特別用於8×8乘法，支援FP32、BFP64、CFP8、INT1...
佈局第三代半導體，長城汽車戰略領投同光股份
此次，長城汽車作為領投方入股同光股份，將推進後者的碳化矽產業發展，聚焦第三代寬禁帶半導體碳化矽在新能源汽車產業的應用，推動碳化矽半導體材料與晶片的產業化...
【氫晨科技•高工年會】致瞻科技碳化矽控制器EMC“硬科技”
圖4 致瞻科技SiCTeXTM產品圖5 碳化矽控制器傳導發射電流法實測頻譜（滿功率執行）致瞻科技SiCTeXTM全碳化矽控制器產品（如圖4所示），在包括傳導發射電流法和杆天線輻射發射在內的所有EMC測試專案中均在滿功率工況下了透過IEC C...