VOLTE高丟包之PHR分析法

1、 PHR介紹

VOLTE高丟包之PHR分析法

理論推導(考慮了終端功率+使用者分佈+MR覆蓋+小區功率):

服務小區A下的終端發射功率:Tx power≈(23-PHR)

終端達到高干擾小區 B的路損 PL≈ Rs pwr-Cell B RSRP,

則服務小區A的終端對於高干擾小區B的上行干擾量Na≈(23-PHR)-(Rs pwr-Cell B RSRP);

服務小區A的所有終端對於高干擾小區B的上行干擾量=∑Na;而高干擾小區B相鄰的所有小區下終端對於高干擾小區B的上行干擾量N=∑Na+∑Na+∑Na+∑Na+…

其中:

PHR:MR。LteScPHR,終端的發射功率餘量,即手機最大發射功率(23dBm)與UL-SCH傳輸功率估計值的差值;

CellB RSRP:干擾小區作為鄰小區的MR測量報告;

Rs pwr:小區的Rs功率配置。

結論:

PHR值越小對網路干擾影響越大,CRS功率設定過大易造成PHR值降低,造成上下行鏈路不平衡問題。

2、 丟包率分析

2。1 PHR<0佔比與丟包率的關係

提取10月22日到11月01日的資料, 進行關聯分析,發現PHR<0佔比和丟包率相關性高,即PHR<0佔比越大丟包率越大,且丟包率在PHR<0佔比大於45後丟包率劣化嚴重。

VOLTE高丟包之PHR分析法

2。2 PHR和RSRP關係

透過分析取樣點資料統計,丟包率小區較好的小區,PHR<0佔比為12。53%,同時MR採集RSRP=-108dbm;上行UE功率在達到臨界點23dbm時,下行RSRP=-108dbm。

VOLTE高丟包之PHR分析法

統計丟包率小區較差的小區,PHR<0佔比為22。53%,同時MR採集RSRP=-104dbm;上行UE功率在達到臨界點23dbm時,下行RSRP=-104dbm。

VOLTE高丟包之PHR分析法

對比發現丟包率較好小區/丟包率較差小區上行UE功率在達到臨界點23dbm時,下行RSRP=-108dbm/RSRP=-104dBm,CRS功率高4dB左右。

2。3 現網高丟包小區與RS功率分配佔比

VOLTE高丟包之PHR分析法

由圖可以看出,功率越高,高丟包小區越多。

透過以上分析可知, CRS功率設定過大是上下行鏈路不平衡問題的主要原因。

3、 高丟包小區處理

當小區的PHR<0佔比大於MR弱覆蓋比例,我們認為此小區存在上行受限問題,即上下行鏈路不平衡;

選取滿足如下三個條件共9個小區於11月1日將其CRS功率下降3dBm。

(1)高丟包率佔比高; (2)上下行鏈路不平衡條件的小區;(3)CRS功率大於18dBm;

對比功率修改前後指標,上行丟包率下降1。59%,PHR<0佔比下降了9。14%,下行丟包率基本趨於穩定。具體指標如下:

VOLTE高丟包之PHR分析法

其他指標均在正常波動範圍內,詳情如下:

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