晶片根據電平敏感度可區分為數字晶片和模擬晶片；前者只需要區分是邏輯高電平還是低電平，而後者需要精確知道電平具體的數值。比如，工作電平是3V，那麼如果外界輸入0到0。3V都被認定為低電平，若輸入2。1V到3 V，則被認定為高電平，一旦被認定為低或者是高電平，那麼響應肯定不同；對於模擬晶片，外界輸入電平都會有不同響應，而不會簡單認為是高或者是低電平，可能0。1V和0。15V兩者輸入的響應都不一樣（具體也看是哪種模擬晶片）。
簡單來說，MOS管根據偏置工作狀態可區分截止區、亞閾值區、飽和區、線性區和深度線性區。數字晶片中MOS管通常工作在截止區或者深度線性區，也就是等效開關功能；而模擬晶片中MOS通常工作在飽和區、亞閾值區和線性區；進一步地，MOS管根據偏置電壓的微小區別，會有不同的表現。而數字晶片中MOS工作在截止區（或者深度線性區），其特性變化不大。這就是根本原因。
隨著EDA（Electric Design Assistance）工具發展，數字晶片基本上是透過工具輔助完成的，即：設計者只需要按照寫程式碼的方式設計晶片功能，然後工具把程式碼進行編譯、綜合，檢查時序，把最基本單元用MOS替換掉，最後佈局佈線成最終可流片的成品； 模擬晶片也需要EDA輔助來完成，需要其複雜運算，達到效能指標，然後Layout Designer（版圖設計師）將電路符號繪製成實際的版圖成品。
數字晶片追求高速度和低功耗、小面積特性，往往採用最新的工藝； 而模擬晶片為了追求效能往往犧牲面積，需要工藝穩定、可靠性高即可，不追求最新工藝。
