經過多年的努力與發展，我們認為如今的中國作為世界大國之一，在諸多領域都扮演者重要的角色，在一些技術發展領域也居於世界前列的地位，確實值得獲得大家的稱讚與肯定。
而回顧我國在技術領域艱難前行的過程，我們又會發現這些成就是多麼的不易，其中蘊含了多少中國人的智慧與辛勞。
比如在晶片製造領域，中科院再次傳來好訊息，中國成功研製出了垂直結構的電晶體，不由得讓人們稱讚厲害了，我的國。
電晶體作為現代化發展程序中極其重要的一種材料，在多個領域都有所應用，其中最為廣泛的就是晶片的製造而晶片也是大家十分熟悉的一種物質，普遍的存在於我們日常生活中的智慧電器之中，比如說我們的手機、電腦之所以能夠具備如此多的功能，一定程度上就是由晶片進行控制的，而晶片製造是一項極其複雜的工藝，其中就包括電晶體這一元件。
這一垂直結構的電晶體是由我國中科院金屬研究所的研究人員研製出來的，與其他電晶體的不同之處在於，這款垂直結構的電晶體是以肖特基結構作為發射結的，在專家術語之中，它也被稱之為是“矽-石墨烯-鍺”電晶體。使用這種垂直結構的電晶體用於晶片製造，能夠直觀的提升晶片的效能。
首先從資訊傳遞上來看，使用垂直結構晶體管制造晶片，能夠大大加快資訊的傳遞速度。這是因為這種電晶體能夠將資訊在石墨烯基區部分的延遲時間進一步縮短，縮短的效果為原先標準的一千倍以上，能夠取得如今大的進步，這是非常不易的。
除此之外，運用這種垂直結構的晶體管制造晶片，還將在晶片體積大小等其他方面提升晶片的效能，總之有了這款最新技術的電晶體材料，我國在晶片領域的研究又將獲得重要的支撐。
