ASML已經不限DUV光刻機,中芯卻一直擴大28nm產能,為何不衝刺7nm

晶片產業,外憂內患並存。在中國本土晶片的解圍紓困之戰中,首先抵達14nm工藝的排頭兵中芯國際,12個月之內,在北京、深圳兩地,投入百億美金,兩度大幅擴增28nm及12英寸晶圓產能。

其實大力擴充套件28nm產能的,除開中芯國際,還有乾脆放棄先進工藝研發、已經做出28nm特色的聯電,甚至還有領軍晶圓代工的臺積電,斥資28。87億美元,擴充其南京廠28nm產能。

ASML已經不限DUV光刻機,中芯卻一直擴大28nm產能,為何不衝刺7nm

當摩爾定律開始挑戰 3nm 工藝,大家的眼光都聚焦在 蘋果A、驍龍、麒麟這些基於先進技術的明星晶片產品時,當半導體產業鏈在逆全球化趨勢下,成為卡住我們脖子的最急需突破時,中芯為什麼不大力穩固14nm先進工藝,甚至向7nm更高製程發起衝擊呢?

先進製程是半導體產業的絕對主流嗎?在半導體現狀下,務實與先進追求如何平衡?

本文試圖解釋這些疑惑。

世界缺芯,以28nm需求最旺盛,有些14nm及以上產能卻不飽和

目前,全球半導體產能供不應求,且業界普遍預期產能短缺情況會延續到2022~2023年。缺芯最缺的是哪種晶片?

代工廠的最新行動最能揭示答案:中國臺灣和大陸地區的多家知名半導體廠相繼宣佈建設新的12英寸晶圓廠,這其中以擴產12吋28奈米以下製程為主,主要輻射到5G智慧手機配件、資料中心邊緣運算、電動車與自動駕駛等缺芯現象突出的領域。

來自晶片行業的專業訊息稱,大陸目前產能最緊張的產能不是14nm,或者7nm工藝,而是55nm。

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一線代工廠28nm產能已經排到明年

儘管國內龍頭中芯國際,已經實現14nm的大規模量產,但是由於

客戶、裝置、材料

的不確定性,中芯國際最近披露的月財報顯示,14/28nm工藝在2020年第四季度收入佔比下降至5%,低於三季度的14。6%。

也就是說,中芯國際14nm 產線在全面缺芯的大環境下,目前的產能反而是不飽和的。

臺積電剛剛公佈2021年第一季度工藝節點收入:7nm佔所有收入的35%,而5nm現在佔14%。資料表明臺積電的5nm收入在減少,反而是較老的工藝節點需求仍然強勁,其中28nm及以上工藝佔公司佔據收入最高的37%。

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為什麼28nm產能需求如此強勁?

目前典型晶片工藝的設計成本:7nm晶片則需要2。71億美元;16nm /14nm晶片的平均IC設計成本約為8000萬美元;而28nm一般約為3000萬美元。

28nm製程處於晶圓工藝的先進製程和成熟工藝結合點,是整個產業毋庸置疑的成本效能控制最好的工藝。28nm在功耗設計、頻率控制、效能穩定等方面具有明顯優勢。

顯然是考慮到目前國內半導體現狀,最新的華為車載晶片,麒麟990A系列晶片使用了華為自研的泰山架構,採用穩妥的28nm工藝生產。

對於動輒投資超過百億美元的晶圓廠而言,製造工藝的成本和效能比,是運轉的關鍵。資本開支每代工藝節點增速平均達30%,比如每萬片月產能,在12英寸晶圓的初代節點90nm時,只需要4。8億美金資本開支,而進入14nm則需要20億美金的資本開支,7nm則高達25億美金,資本開支每代節點增速達到30%。

28nm 是國產晶片產業鏈整體最接近破局的製程

我國的半導體產業鏈國產替代程序一直穩步推進,在裝置和材料的國產替代上,很多方向上已經開始突破28nm,比如中微的刻蝕產品在業內開始領先,工藝節點甚至已經達到 5nm,進入臺積電的產線驗證。

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刻蝕和清洗裝置,曾經是美系半導體傳統優勢領域,我們已經可以從應用材料和Lam的虎口裡奪食了。

離子注入機、塗膠顯影裝置,仍處於國產化突破前夕,支援到28nm製程的光刻機,我們更是在日思夜盼。

半導體材料是中國半導體最薄弱環節之一,高度依賴進口。目前在多個方向上,也開始有了一定國產化比例。

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所以說,略顯落後的28nm,是我們整體半導體產業務實的第一目標。

大陸目前的28nm產線規模的提升,相信會為更多的國產半導體裝置和材料帶來更多驗證的機會,從而帶動整體產業鏈的升級,

如果沒有自主的整體產業,站穩在28nm這個層級做後盾,即使往上突破,也存在很大風險,因為其生產許可都是掌握在別人手裡的。

28nm製造鏈上我們的企業已全面涉足,這意味著,假設最艱險的時刻到來時,中國芯並非全無依仗。

7nm 製程是DUV工藝的極限,即使能量產,也需付出成本和良率的代價

我們不能否認,中芯國際依靠目前能獲得的有限資源,正在做向7nm先進製程延展的技術攻關,這種突破當然具有閃耀的意義。

例如臺積電的7nm製程,前兩代工藝N7、N7P就是基於DUV工藝,2018年度的華為麒麟980就是其代表作。

DUV(深紫外光)光刻機使用的光源都是193nm波長的ArF excimer laser,EUV(極深紫外線)光刻機光源則是13。3nm的laser pulsed tin plasma。在EUV技術出現之前,技術人員利用 DUV光刻機,透過把鏡頭放在水裡、相移掩模、多重曝光的方法,一步步推進晶片技術節點,使得193nm浸沒式光刻可以實現到10nm甚至7nm的解析度。

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雖然透過複雜的DUV光刻多重曝光技術,可以實現7nm量產。但是,每多一次曝光都會增加生產工序,使得製造成本大大提升,而且良品率也難以控制。

尤其是涉及到7nm,其裝置、材料、EDA,這些七寸更加掌握在他人手裡,因為無法得到國內夥伴客戶支援,中芯國際即使實現了 7nm 的量產,其成本肯定無法與前三位大佬:臺積電、三星和英特爾競爭,無力獲取更多的國際訂單。

28nm是科技逆全球化趨勢下的安全區域

華為的遭遇使得我們早就看清,一定要時刻準備面臨最難的境地。

考慮到 28nm 工藝的廣泛性,在這條線上任何人試圖建立約束規則,顯然不太現實。ASML 執行長Peter Wennink日前表示,出口管制不僅不能停止其技術進步,而且還會損害自身經濟。並且多次宣告DUV光刻技術的相關裝置,不受限制。

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14nm、10nm最近多次被提及,更別說7nm了,顯然這個節點,要被某些人設定成紅線,拉大我們與世界先進的差距。這是國產半導體產業必須面對的。中芯國際成熟14nm工藝的主要客戶高通和博通,就是因為一些不確定性,而選擇轉單。

而28nm似乎成為了某種意義上的安全區,而增添安全感的,不僅有因為廣泛性,而仍在發揮作用的半導體全球化根基,還有最重要的,是我們正在崛起的本土產業鏈。

生存是第一位的,“擁有”的才是珍貴的,“能用”的才是好用的,在艱難前行的路上,站穩28nm 顯然意義非凡。

28nm顯然不是什麼落後工藝

以28nm工藝為代表的成熟工藝在未來的一段時間內,還將是眾多廠商維繫利潤,能夠參與半導體先進工藝研發的基礎。

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聯電是一個很好的案例:

2018年,聯電做了一個決定:停止12nm以下先進工藝的研發,在晶圓代工市場上不再拼高製程技術,專注28nm的產能及技術成熟度。專注28nm的聯電,目前成為炙手可熱的代工企業。

連三星的ISOCELL影象感測器和顯示驅動晶片,都需求著聯電代工。聯電也成功拿下高通、英偉達、德州儀器、意法半導體及索尼等大單,主要採用28nm、40nm或55nm等成熟製程,產品大多為模擬晶片。

28nm顯然不是什麼落後工藝,仍然需要打磨。至於先進製程,受制於研發成本、技術難度和潛在客源的雙重壓力,終將屬於少數的頂級玩家。

根據Gartner的統計,2020年全球28nm晶片市場規模約94億美元,其中臺積電的48億美元已佔據51%。而中芯國際2020年財報顯示28/14nm收入約4億美元左右,

就是說即使是有些被瞧不起的28nm,我們也差得很遠呢!

所以,一方面需要堅持完善28nm甚至是40nm等成熟工藝,加緊完善供應鏈,實現自我造血,另一方面,積極參與先進工藝的研發和製造,保持與先進製造的身位差距不要太大,才是我們的國產代工企業最恰當的策略。

寫在最後

隨著半導體晶圓工藝不斷逼近極限,某些先發優勢不斷被削減,這是作為後來者的其他晶圓廠商的歷史機遇。

國際化分工協作,全球共贏發展經濟的好日子一去不復返了。先進製程是我們追求的,但顯然不是我們急需的。目前我們的處境非常困難,仍需做最艱苦努力的準備。

28nm 其實是大有可為,如果相關的國產化程序取得突破,我們的市場規模和完善的工業體系,將凸顯優勢效應,可以大膽預見:

中國晶片鏈的崛起,是全球缺芯現象的決定性治癒因素,到那時,將我們排除在先進半導體體系之外的任何舉措都是徒勞的。