在上月的ITF大會上，半導體行業大腦imec（比利時微電子研究中心）公佈的藍圖顯示，2025年後電晶體進入埃米尺度（Å，angstrom，1埃
= 0。1奈米），其中2025對應A14（14Å=1。4奈米），2027年為A10（10Å=1nm）、2029年為A7（7Å＝0。7奈米）。
當時imec就表示，除了新電晶體結構、2D材料，還有很關鍵的一環就是High NA（高數值孔徑）EUV光刻機。其透露，0。55NA的下代EUV光刻機一號試做機（EXE：5000）會在2023年由ASML提供給imec，2026年量產。
不過，本月與媒體交流時，ASML似乎暗示這個進度要提前。第一臺高NA EUV光刻機2023年開放早期訪問，2024年到2025年開放給客戶進行研發並從2025年開始量產。
據悉，相較於當前0。33NA的EUV光刻機，0。55NA有了革命性進步，它能允許蝕刻更高解析度的圖案。
分析師Alan Priestley稱，
0.55NA光刻機一臺的價格會高達3億美元（約合19億）
，是當前0。33NA的兩倍。
早在今年7月，Intel就表態致力於成為高NA光刻機的首個客戶，Intel營銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法，並將高NA EUV光刻機視為一次重大技術突破。
