9月26日，華燦光電（300323）在深圳前海萬豪酒店正式釋出新一代Mini LED晶片產品。公司表示，新品釋出標誌著公司在微顯示領域技術進展方面取得新突破，並對未來技術展開新佈局。
釋出會現場
華燦光電董事長俞信華致辭
Mini LED和Micro LED技術被視為新一代顯示技術革新的突破方向。各大LED企業已開始爭相發力，試圖搶佔未來之“屏”的行業高地。
作為國內行業規模第二的LED晶片企業，華燦光電對於Mini LED以及Micro LED產品，在外延和晶片工藝方面進行了全方位最佳化，已經取得了多項技術突破。
據介紹，華燦光電此次釋出的Mini BGB LED晶片和背光用 Mini LED晶片，分別應用於電視和消費電子、車載顯示屏，產品從光效、耐電流衝擊能力到一致性和可靠性，都有大幅提升和最佳化。
在Mini RGB LED晶片技術最佳化方面，華燦設計了高效鈍化層的製作，對金屬連線層進行平滑覆蓋，並針對Mura效應這一COB封裝形式中常見的顯示異常，華燦光電透過特有的晶片混編技術，可以消除COB應用情況下的Mura效應。此外，隨著晶片尺寸的持續減小，免錫膏方案將成為提高良率降低成本的關鍵，對此華燦光電也實現了將錫球直接製作在Mini LED晶片電極上的技術應用。在Mini BLU晶片技術最佳化方面，華燦光電優化了膜層結構設計，調節晶片出光，更易實現超薄設計。
在Micro LED晶片技術最佳化方面，華燦進行了深刻蝕斜角最佳化，從而實現了微米級工藝線寬控制，並且選擇襯底鐳射剝離技術。華燦在Sub微米級的工藝線寬控制、晶片側面漏電保護、襯底剝離技術（批次晶片轉移）、陣列鍵合技術（陣列轉移鍵合）、Micro LED的光形與取光調控方面取得了較好的結果。
在MicroLED外延技術方面，波長均勻性提升、particle控制以及更大尺寸外延片生產等方面取得了較大的進展，目前所獲得的大尺寸外延片具有業界領先的波長均勻性和較低的表面缺陷密度，為實現更有成本競爭力的Micro LED顯示技術打下了良好的基礎。
目前所獲得的的晶片良率可以達到5個9的水平，紅光Micro LED效率也到達了國際領先水平，並針對不同轉移方式，可以提供多種形式的Micro LED樣品。
此外，在未來技術佈局上，華燦光電全面佈局新一代顯示晶片專利，從外延結構、晶片結構、工藝生產流程等方面全方位佈局。目前共計有申請專利88件，其中發明專利77件，實用新型專利11件；共計有授權專利40件，其中發明專利29件，實用新型專利1件。
新品釋出會現場，華燦光電還舉行舉行了微顯示戰略合作顯示簽約儀式，與京東方、夏普、群創光電、洲明科技、希達光電、雷曼光電、中麒光電達成了合作協議，合作共贏，共同促進微顯示技術應用、創新與發展。
