柵極

深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為

圖12在相同的設定和開關條件下，比較了相同晶片的4引腳TO247和3引腳TO247 SiC MOSFET封裝，強調了柵極反饋的影響...

開通關斷大家可以從下表看下RG對於IGBT開關特性的影響：所以，需要根據IGBT的實際電流密度、電壓等級以及工作頻率等具體因素選擇...

這是使用分立式IGBT的小功率Inverter相間短路時的波形，振得厲害的是柵極電壓Vge和集射極電壓Vce，高頻振盪的同時其振盪幅值也很高，雖然在短時間測試中無法出現故障，但是長時間執行中可能便會發生失效...

該管生產時所使用的零部件似乎與RME TUBES的EL34相同，但讓人不可思議的是這兩種管子所發出的聲音有明顯的不同...

4結束語本文分別從離子推力器放電室、離子光學系統和空心陰極（包含放電陰極和中和器）等關鍵元件切入，從結構、材料和工作特點等方面，對離子電推進技術發展現狀進行了詳細討論，並結合未來航天任務應用需求，總結了離子電推進技術發展趨勢和存在的挑戰...