半導體材料&工藝
同年,Sheftal等人發明了基於化學氣相澱積的外延生長技術,外延用以描述在半導體材料晶體表面上生長出一層與該半導體材料晶格結構相同薄層的技術...
同年,Sheftal等人發明了基於化學氣相澱積的外延生長技術,外延用以描述在半導體材料晶體表面上生長出一層與該半導體材料晶格結構相同薄層的技術...
中國經濟週刊-經濟網訊 天眼查APP顯示,6月29日,華為技術有限公司公開“半導體器件及相關模組、電路、製備方法”專利,公開號CN113054010A,申請日期為2021年2月...