半導體晶片電晶體VTFET垂直IBMIEDM 2021:三星攜IBM介紹VTFET半導體晶片研究新突破(加密貨幣挖礦行業也有望獲益於此)在搞定了柵極長度和間隔尺寸(決定柵極 / 電晶體間距)這兩個關鍵因素之後,3D 垂直器件設計方案使得晶片製造商能夠繼續沿著摩爾定律的方向去發展...