到底是造兩彈難,還是EUV光刻機難?
所以說,EUV光刻機是近代科技的產物,是集體智慧的結晶,但並不表示舉一國之力就不能做到,而兩彈由於涉及到國家戰略高度,重視度遠非光刻機所能比擬的...
所以說,EUV光刻機是近代科技的產物,是集體智慧的結晶,但並不表示舉一國之力就不能做到,而兩彈由於涉及到國家戰略高度,重視度遠非光刻機所能比擬的...
據悉,全球首款DUV光刻機和EUV光刻機都是ASML研發製造的,尤其是EUV光刻機,已經成為生產製造7nm以下晶片的必要裝置...
全新Bolt EV車型採用了黑白雙色車身,前臉配備內底經過燻黑處理的分體式大燈,封閉式進氣格柵外側裝飾有黑色飾條,側面搭配平直且凌厲的雙腰線和懸浮式車頂...
需要指出的是,不管是ASML出口到大陸光刻機,還是臺積電在南京建置產能,在短期內都能緩解中國缺芯的局面,但與此同時可能也會對中國晶片自主研發帶來影響...
原本這一工藝是由中芯國際研發的,但是一直都沒有成熟,而心動科技在此基礎之上進行了最佳化和改進,經過幾個多月來的測試,現在終於取得了不錯的成績,突破了瓶頸期,從這上我們看出的是國內廠商強強聯手共同突破難關的成績,同時也就說明了,如果想要獲得更...
EUV困不住中國芯了綜合來看,石墨烯晶片作為現在的矽基半導體晶片材料的延續,將來的發展也大有可為,而在中科院等國內機構的不斷研發下,我們已經在這一領域取得了突破...
”而此類言論在去年ASML和中芯國際達成合作時就曾出現過,當時就有傳言稱,“因受到瓦森納協議(《關於常規武器和兩用物品及技術出口控制的瓦森納協定》)的約束,荷蘭不能出售光刻機給中國企業”,而ASML給出的迴應是,“公司平等對待全球客戶,包括...
但隨著ASML將資源向對手英特爾傾斜,美國的晶片製造水平必然會水漲船高,而臺積電的市場地位以及影響力,必然會大打折扣...
圖4:中芯國際設計的帶有環狀多噴嘴的旋轉EUV光源系統所以,大家就可以清晰地理解中芯國際的這個設計了:在EUV的鐳射頭周圍,安裝了一圈的n個噴嘴,工作時,轉盤按照鐳射脈衝的頻率一直轉動,鐳射依次激發1至n的噴嘴噴出來的液滴...
對中芯國際來說,全球缺芯的環境,是它在代工領域崛起的大好時機,自然不願意因為裝置問題而錯失良機,為此專門邀請來了技術大拿蔣尚義,尋求與ASML達成EUV的進口協議...
美國在5G方面對中國的打壓,已經無所不用其極,前些時日,組織荷蘭阿斯麥(AMSL)公司向中國出口EUV光刻機,也就是說,美國已經在兩個方面對中國的5G進行打壓,一是透過扣押孟晚舟來威脅華為放棄5G技術或者交出相關資料...
就拿ASML無非出售給中芯國際EUV光刻機來說,據訊息人士透露,美國前任“特不靠譜”時期,就要求“忠實的盟友”荷蘭阻止ASML向中國大陸出貨先進光刻機,如今現仍延續了此前的政策,否則美國將限制向荷蘭出貨重要的光刻機元件...
國內首臺高能同步輻射光源科研裝置落地,鏡鍍膜裝置投入使用,標誌著國產EUV光刻機在EUV光學鏡頭領域取得重大的突破...
華為晶片被美國製裁後,任正非就曾表示,我國晶片設計的能力已經達到了世界頂級的水準,掌握的晶片製程工藝也是當今世界上最先進的,之所以現在無法獨自制造出高階晶片,主要還是因為光刻機和化學材料被卡了脖子...
甚至還能夠採用多重曝光技術生產7nm晶片,臺積電就曾經用阿斯麥的DUV光刻機實現了7奈米的量產,在EUV光刻機投用之後,由推出了7奈米的EUV工藝...
當然想要實現國產晶片2025年達到75%自給率,最重要的就是攻克EUV光刻機,在有些人眼裡中國可能永遠無法攻克EUV光刻機技術難題,那麼我想說的是:別忘了,無論他有多先進都是人造的,不是神造的...
華為梅開二度,P50看得到也能買得到華為近期傳出了許多新的訊息,從新機到系統,均進行了超大幅度的升級和爆料...
說了這麼多,還只是說了EUV光刻機,而晶片製造的其他裝置龍頭都在美國跟日本,像美國的應用材料(AMAT),泛林半導體,KLA,日本的東京電子,斯科半導體,愛德萬測試,中國距離這些公司差距也是相當的大...
三星、臺積電、英特爾在內的晶片巨頭,都需要從阿斯麥處購買EUV光刻機,才能夠量產高精度晶片...
目前國產晶片產業在中低端領域已站穩了腳跟,正在向高階領域發起衝擊,而且清華大學等高校的科研團隊在EUV領域也已取得了不小的研發成果,隨著時間的推進,ASML的擔憂或將成為現實...