4月13日，紫光集團旗下長江儲存宣佈128層QLC3DNAND快閃記憶體（型號：X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端儲存產品上透過驗證。這是全球首款128層QLC規格的3DNAND快閃記憶體晶片，也是我國首款128層3DNAND快閃記憶體晶片。長江儲存預計，128層產品今年底到明年上半年量產，維持明年單月10萬片產能目標不變。
“儲存晶片是整個ICT行業的底盤之一，手機、電腦、伺服器等裝置都要用它，雲計算、5G等技術也是基於儲存晶片技術的發展。目前中國在這方面與海外差距較大。”一位電子行業賣方首席研究員表示，“長江儲存的128層產品市場銷路會不錯。”
長江儲存填補了我國在3DNAND快閃記憶體晶片領域的空白，它是目前中國唯一能夠在該領域實現量產的廠商。儘管起步晚於國際大廠，但長江儲存發展迅速，技術水平已躋身全球第一梯隊。
儲存器是半導體產業的重要分支。中信證券電子組表示，儲存晶片產業2019年全球銷售額約1200億美元，約佔全球4000億美元半導體市場的30%。其中，DRAM約620億美元，NANDFlash約570億美元。韓美3家DRAM廠商佔全球95%的份額，其中韓國廠商三星、SK海力士佔75%。韓美日6家NANDFlash廠商佔全球99%的份額，其中韓國三星、SK海力士以及日本鎧俠（原東芝）3家的份額超過60%。
多個指標業界第一
長江儲存有關人士介紹，X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積儲存密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶片容量。
QLC是繼TLC後3DNAND新的技術形態，具有大容量、高密度等特點，適合於讀取密集型應用。每顆X2-6070QLC快閃記憶體晶片擁有128層三維堆疊，共有超過3665億個有效的電荷俘獲型儲存單元，每個儲存單元可儲存4字位資料，共提供1。33Tb的儲存容量。如果將記錄資料的0或1比喻成數字世界的小“人”，一顆長江儲存128層QLC晶片相當於提供3665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14660億“人”居住，是64層單顆晶片容量的5。33倍。
快閃記憶體和SSD領域知名市場研究公司ForwardInsights創始人兼首席分析師GregoryWong認為，QLC降低了NAND快閃記憶體單位位元組的成本，更適合作為大容量儲存介質。在企業級領域，QLCSSD更適用於AI計算、機器學習、實時分析和大資料中的讀取密集型應用。在消費類領域，QLC將率先在大容量隨身碟、快閃記憶體卡和SSD中普及。
與國際大廠同臺競技
2017年7月，長江儲存研製成功中國第一顆3DNAND快閃記憶體晶片。2018年三季度，32層實現量產。2019年三季度，64層實現量產。為縮小與第一梯隊廠商的差距，長江儲存跳過96層，攻堅128層。
SK海力士、三星、美光等國際大廠去年陸續釋出128層3DNAND產品，計劃今年實現規模量產。如今，長江儲存成功自研128層快閃記憶體晶片。在不久的將來，國產128層系列快閃記憶體產品將走向市場，與國際大廠同臺競技。
“3DNAND的難點在於一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連線起來，層數越多需要打的洞就越多，每一個單位都要打洞，數量可達幾百萬個。必須保證做到垂直地打洞，不能歪、不能斜，保持均勻。同時，一層一層疊上去的時候會產生壓力，晶片的旁邊會翹起來。所以，把洞打好和把翹起來的地方壓下去、變平，這是最困難的地方。”長江儲存執行董事長高啟全此前接受中國證券報記者專訪時介紹了3DNAND製造工藝的難點。
國內市場需求旺
長期以來，我國使用的儲存晶片嚴重依賴進口。以2018年為例，根據智研諮詢統計，我國積體電路進口額達3120億美元。其中，儲存晶片為1230億美元，佔積體電路進口總額的39%。
目前，長江儲存、長鑫儲存、福建晉華等3家國內廠商正奮力追趕。隨著量產的推進，我國依賴進口的局面有望得到緩解。長鑫儲存和福建晉華主攻DRAM，前者去年9月宣佈記憶體晶片自主製造專案投產。
當下，長江儲存產能為2萬片/月，公司表示將盡早達成64層三維快閃記憶體產品月產能10萬片，並按期（二期）建成30萬片/月產能，提升國家儲存器基地的規模效應。長江儲存當前產能利用率達100%，已全員復工。
“長江儲存128層系列產品具有廣闊的市場應用前景。其中，128層QLC版本將率先應用於消費級SSD，並逐步進入企業級伺服器、資料中心等領域，以滿足未來5G、AI時代多元化資料儲存需求。”長江儲存市場與銷售高階副總裁龔翊說。
