2028實現光刻機自研，可支援7nm晶片製造！俄羅斯真有這個能耐？
在晶片規則不斷的升級之下，各個國家不再相信基於美技術體系的國際產業鏈，而中、俄是產業被限制最嚴重的國家，因此在技術的自研上反應也是最強烈的，在中企相繼傳出好訊息之後，俄科學院也官宣了好訊息。
根據海外傳來的訊息，俄科學院IPF RAS已經全力參與光刻裝置的研發，後續將會有整套的半導體裝置誕生，
並且其還高調宣稱：“自研的光刻機將在2028年商用，並且可用於7nm左右的晶片量產！”
這就讓人納悶了，目前俄國依靠自主化的產業鏈，就連90nm工藝都無法完成，此前更是宣稱實現28nm工藝，也要等到2023年，如今卻宣稱2028年就能實現7nm工藝了，這真的有可能嗎？
俄半導體產業的現狀
在當前的特殊形勢之下，俄半導體的現狀要比中國更加嚴峻，在晶片規則的不斷升級之下，蘋果、高通、AMD、英特爾、臺積電、三星等等企業相繼斷供，可以說整個國家的晶片供應渠道都被切斷了，俄科學院只能緊急啟動了自研計劃。
在早前俄羅斯曾公佈了一項計劃，預計會在2022年底完成90nm晶片的自主化，在2023年實現28nm晶片自研自產，但顯然這樣的預估過於保守了，從技術角度上來講，利用8年時間實現這個目標難度不大。
俄羅斯科學院也並非浪得虛名，在很多的頂尖技術上都曾和老美掰過手腕，就拿航天航空技術來講，國際很多國家的衛星發射都要依賴於俄羅斯，但可惜進入到21實際之後，國家整體經濟蕭條，沒有那麼多的資金用於科研專案，才導致如今的困局出現。
如果沒有外來的晶片進入，俄羅斯滿打滿算僅能製造出65nm的晶片，並且這還要依賴於海外的半導體裝置才能實現的，因此可以說目前的形勢相當嚴峻，而光刻機是核心的晶片製造裝置，自然是首要攻克的目標。
根據俄科學院IPF RAS的介紹，他們將會利用6年的時間製造出工業原型，首臺alpha 機器將會在2024年誕生，其也透露初期階段的工作，主要是完善系統的全面性，重心並不在於裝置上的突破。
到了2026年新研發的Beta將實現對於alpha的替代，到達這個階段所有的系統都差不多整備完畢了，基本上許多的操作流程都能實現自動化了，屆時在解析度和生產力上也將得到很大的提升，這個階段就可以實現裝置的融合除錯，將整合運用到實際技術操作流程中。
最後就到了最為關鍵的光源融入階段，這也是光刻機最為核心的技術，好在俄羅斯在X射線光源技術上，有著完全自主可控的技術，此前也證實了相應的可行性，在進行改良升級之後，一整套的光刻機就能夠正常投入使用了！
俄科學院能成功嗎？
在面臨全面制裁之後，俄國內的晶片極度短缺，所有的晶片圓晶廠都停止了供應，雖然本土對製程工藝要求不高，但面對僅能實現的65nm製程工藝，針對現階段的工藝水平確實不夠看，俄科學院也加大的對人才的培養，試圖擺脫這樣的困境。
俄羅斯科學院院士也表態：“ASML近20年來追求的是生產效率，EUV曝光機很好的幫助全球半導體廠商實現了技術精進，但目前的俄羅斯並不需要太先進的工藝，根據自己實際需求跟進就好！”
但在這樣的訊息傳出之後，海外媒體沒有一家看好俄羅斯，都認為這樣的計劃不可能實現，畢竟此前沒有任何的技術基礎，6年時間完成7nm晶片光刻機的突破，顯然是有點不切實際了，就連ASML都用了將近20餘年的時間。
而中國參與光刻機的研發，也已經有很長一段時間了，至今還未能達到28nm的水平，因此基本上是不可能的，況且光有光刻機還不夠，還需要需要配套裝置，以目前俄羅斯的狀態，想要從國際供應鏈獲取根本不可能。
而且除了有裝置之外，還需要晶圓廠的配合，目前俄羅斯本土並沒有這樣的企業，因此按照此前2030年實現28nm晶片自主化，相對而言還是比較符合實際現狀的。
俄科學院下諾夫哥羅德代表團所演示的光刻裝置，目前還只是裝置的原型，可以說還處於“PPT”階段，後續還要進行開發、製造以及安裝，並沒有想象中的那麼簡單，對此你們是怎麼看的呢？
