光刻機在積體電路中有著重要的作用，尤其是高階光刻機。積體電路產業是資訊科技產業的核心，積體電路的應用無處不在。是“現代工業的糧食”，是物聯網、大資料、雲計算等新一代資訊產業的基石。
光刻機是積體電路“IC，晶片”製造的核心裝備，它決定了IC的效能——CPU的執行速度、儲存器的容量等。
光刻機的功能：在照明系統形成的特定照明光瞳、偏振模式與照明光場照明下，掩模圖形透過投影物鏡被準確成像於矽片面制定位置的光刻膠層上，即實現IC圖形的曝光復制。
光刻機的核心指標：
光刻解析度：與曝光光源、照明系統、投影物鏡等有關
套刻精度：與照明系統、投影物鏡、掩模臺/工件臺有關
產率（良率）：與鐳射器功率、照明系統透過率、掩模臺/工件臺運動速度有關
目前製造IC的主流光刻機（IC光刻機）是採用紫外汞燈（波長：365nm）、深紫外準分子鐳射器（248nm-KrF鐳射器、193nm-ArF鐳射器）與極紫外光源（波長：13。5nm-EUV光源）的步進掃描投影光刻機；隨著曝光波長的縮短，光刻機的光刻解析度逐步提高
。在Moore定律驅動下，IC的解析度越來越高，單位畫素生產成本越來越低，還需要不斷引入新的光刻技術：縮短曝光波長、提高NA、採用解析度增強技術。
摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登。摩爾（Gordon Moore）於1965年首次提出來的。其內容為：當價格不變時，積體電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，效能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦效能，將每隔18-24個月翻一倍以上。這一定律揭示了資訊科技進度的速度。
目前高階光刻機及其部件相關技術僅被少數國外公司（ASML/Zeiss/Cymer/Nikon/Canon）掌握，並對我國實行嚴格的技術封鎖，是“卡脖子”技術。在激烈的技術與市場競爭中，荷蘭ASML公司的產品獨佔鰲頭，其銷售份額在全球佔80%以上，Nikon、Canon逐步退出高階IC光刻機市場，轉而發展先進封裝、MEMS、顯示器光刻機市場。
ASML公司目前生產與銷售的主要光刻機型號
汞燈i線：365nm
KrF準分子鐳射器：248nm
ArF準分子鐳射器：193nm
EUV光源：13。5nm
ASML公司193nm浸沒式光刻機採用ArF準分子鐳射器作為曝光光源的浸沒式光刻機從
XT：1700i、XT：1900i、NXT：1950i、NXT：1960i、NXT：1970i、NXT：1980i、
NXT：2000，
一直髮展到
NXT：2050i
，以及未來的
NXT：2100i
…。。，其效能不斷提高，光刻解析度從45nm推進到38nm、28nm、22nm、16nm、7nm，甚至5nm，顯示出強大的生命力 。
光刻機及其部件技術僅被少數國外公司（ASML/Zeiss/Cymer、Nikon）所壟斷，且對我國嚴格封鎖，是
“卡脖子”技術；
裝備投資是IC生產線的主要投資，資金佔比超過70%，而光刻機佔20%以上
1條28nm產線投資額為50億美元，1條20nm產線投資額為100億美元
那麼IC光刻機和曝光機有什麼區別：
除了IC光刻機外，還有基於其他工作原理的“光刻機（曝光機）”，如“3D結構
直寫光刻機
”，本人建議把名稱改為“3D結構
直寫曝光機
”。這與大家熟知的IC製造光刻機完全不同，直寫曝光機主要用於微納光電子器件等非IC器件（泛半導體）的製造。
直寫曝光機主要基於
聚焦鐳射直寫、雙光束干涉直寫、全息曝光
等曝光技術而不是基於從掩模到矽片面的“
投影成像技術
”，與IC光刻機完全不同；主要用於微納結構光電子器件等非IC晶片（泛半導體）的圖形曝光，
不適合規模化要求極高的IC量產製造
。
直寫曝光機與IC光刻機相比存在多項顯而易見的劣勢：
解析度低——即使採用超分辨技術最高也只能達到百nm-幾十nm量級光刻解析度；
套刻精度低——不適合多層圖形曝光；
產率低——採用單個或多個聚焦鐳射束掃描曝光，速度低（不是大面積圖形的曝光復制）；
成品率低——曝光所得圖形質量低，如圖形邊緣粗糙度大、側壁陡度小、缺陷多，不滿足IC製造中後續刻蝕等工藝的要求。
我國光刻機發展情況：
我們知道，晶片被譽為資訊產業的基石、現代工業的糧食，晶片及其製造技術、裝備是中美貿易摩擦的首要目標。
目前我國是晶片用量大國，但高度依賴進口，約為石油進口額的2倍。
2020年，晶片-3500。4億美元，石油-1763。2億美元，鐵礦石-1189。4億美元
2020年，我國晶片自給率約為15。9%，而總部位於中國企業生產的芯片價值佔比僅為5。7%，發展空間巨大。
