眾所周知，晶片是一個國家科技發展的基礎，不管是航天航空、人工智慧還是正在普及的5G通訊以及新興的新能源等領域都需要晶片的支援，才能得以正常執行。隨著科技的發展，半導體晶片技術更是衡量一個國家綜合實力的象徵。而光刻機作為晶片製造所必需的裝置，其重要性不言而喻。
華為手機之所以出現斷崖式下滑，是因為沒有高階晶片。一方面是因為臺積電不能為華為代工麒麟晶片和美企無法出口，另一方面也是最主要的，國內沒有可以製造7nm及以下的廠商，歸根到底還是因為無法得到EUV光刻機。
要知道，不是國內沒有生產高階晶片的技術，而是缺少製造高階晶片必須用到的EUV光刻機。事實上，中芯國際早在2019年就全資向ASML購買了一臺EUV光刻機，由於眾所周知的原因至今不能到貨。
華為任正非曾說過：“華為可以設計出來高階晶片，只是國內沒有可以生產的廠商”，很顯然，阻礙華為獲得高階晶片的關鍵是EUV光刻機。可恨的是，老美把該裝置當成制裁華為等中企的一個“工具”。
面對這一情況，華為提出了晶片疊加技術，同時在近期釋出了超導量子晶片的專利技術，可有效降低量子位元之間的串擾，這一技術是高通等美芯巨頭至今無法突破的技術。
最重要的是，華為相關負責人先前就明確表示過，未來華為會採用晶片疊加技術以面積換效能的方式解決當前的高階晶片問題。這意味著，老美對華為的晶片禁令已經成為廢紙一張。
要知道，量子晶片是完全可以繞開EUV光刻機的，摩爾定律的極限已經走到盡頭，傳統的電子晶片到3nm已經是極限，再往下成本就會越高。所以晶片巨頭，臺積電、美光以及高通都在尋求成本更低，並且可以繞開EUV光刻機的晶片製造方法。
首先，臺積電宣佈聯合美光、三星記憶本以及SK海力士等19家晶片巨頭成立3D Fabric聯盟。目的是為了降低對EUV光刻機的依賴，也有業界人士認為臺積電的這一做法，是“去美化”的開始。
眾所周知，老美邀請三星、臺積電等成立“四方聯盟”以及赴美投資建廠，表面上市振興美本土晶片產業和對中國半導體晶片發展進行圍堵，實際上就是想要用三星和臺積電的技術扶持本土晶片巨頭英特爾。
美芯巨頭AMD近期釋出的RDNA 3架構的GPU驗證了臺積電選擇的方向是正確的，因為此款GPU使用的是臺積電的“3D Fabri”技術，由此可見3D封裝技術未來可期。一旦達到成熟，就可以完全擺脫EUV光刻機，屆時繼續為華為代工晶片也不是不可能。
其次，晶片大廠美光推出了DRAM晶片，已經可以實現量產。要知道，此款晶片採用的是1-beta製造技術，這項技術不僅可以將晶片能效提升15%，並且還可以將儲存密度提升35%，關鍵的是可以繞開EUV光刻機裝置。
另外，我國第一條“多材料、多尺寸”的光子晶片生產線已經開始籌建，預計2023年可以建成投產。該生產線同樣也是可以不依賴EUV光刻機的，要知道，光子晶片的效能要比電子晶片快100倍。
如果未來光子晶片在國內半導體行業得到廣泛應用，那麼我們就可以徹底的和ASML說再見了。
無論是華為的晶片疊加技術和超導量子晶片技術還是臺積電的“3D Fabri”技術，或是美光的1-beta製造技術，這些技術的成功，都是在一定程度上降低對EUV光刻機的依賴，未來甚至可以完全繞開EUV光刻機。這意味著，華為、臺積電等全球晶片巨頭都開始對ASML說再見了。
摩爾定律已經走到盡頭，半導體晶片市場未來一定是低成本、高效能的趨勢。國內相關企業更要把握當下的機會，努力實現技術突破，並掌握核心技術，同時也要另闢蹊徑取得主動權，這樣才能徹底擺脫被“卡脖子”的局面。
