外媒：“ASML的EUV光刻機地位可能要被取代了！”
擁有著頂尖的技術，讓ASML享盡了時代紅利，作為唯一能夠生產EUV光刻機的企業，本該是一片光明的，但“晶片規則”成為了意外因素，在老美的強行干預之下，光刻機的壟斷地位正在遭遇挑戰。
理論上全球早該步入7nm時代了，但EUV光刻機不能自由出貨，導致高階工藝只有臺積電和三星擁有，全球供應鏈合作也陷入垮塌，高階晶片出貨受影響，各個國家只能退而求其次，利用成熟工藝來解決需求。
老美為了奪回產業優勢，目前正打算督促ASML斷供DUV光刻機，雖然被強硬拒絕了，但難免引起市場的擔憂，紛紛啟動了可替代的方案，目前已經有了諸多的方案，外媒也直言：“EUV光刻機地位將被取代！”
EUV光刻機將被替代？
歷經研發設計、製造、封裝環節，經過上百道複雜工序的打磨，一顆晶片才得以成型，雖然每個環節都至關重要，但最複雜的肯定是製造環節，僅僅是光刻機這個裝置，就難倒了多少“英雄漢”，中芯國際就是因為缺乏EUV光刻機，才一直無法實現7nm工藝的量產。
一臺EUV光刻機的售價上億美元，因此佈局一條7nm以下的生產線，動輒幾十億美元的投資，註定沒有多少企業能夠承受的起，目前EUV光刻機的產能過半被臺積電佔據，總數達到了80臺以上，這也讓三星望塵莫及，因此市場地位上佔據主導優勢。
但在老美對市場的強行干預之下，臺積電的地位正在逐步下滑，從赴美建廠那一刻開始，就完全喪失了主動權，無法擺脫含美的技術，大量的美企訂單湧入，被迫放棄了國際市場的合作，也正是因為如此，加速了各個國家技術的自主化。
在掌控了臺積電之後，老美就對其有所懈怠了，在“套取技術”無果之後，就開始聯合日企研發2nm工藝，並且把三星、臺積電等企業排除在外，很明顯就是奔著取代地位而去的，而邀請赴美建廠的做法，只不過是限制國際半導體發展的“誘餌”。
目前日企鎧俠已經晶片製造技術上取得突破，直接繞開了EUV光刻機最為複雜的光源技術，利用奈米壓印技術成功製造出了先進工藝晶片，理由類似“蓋章”的方式將造芯過程簡化，實現了成本的大幅降低，而佳能、尼康也在恢復光刻機的研發，正在朝著5nm工藝前行。
同時無法獲取到EUV光刻機的中芯國際，也給出了相對應的解決方案，在有了梁孟松的加盟之後，中芯國際三年從一家“小作坊”，成長為了全球前五的晶片製造廠商，成功掌握了14nm晶片量產，在成品率上已經不輸於臺積電了。
短期之內獲取EUV光刻機肯定無望了，為了滿足對於高階晶片的需求，於是想到了利用DUV光刻機的多重曝光，研發出了N+1、N+2等等工藝，可以實現不亞於7nm效能的晶片，再利用上華為的堆疊工藝，有希望解決高階晶片的需求。
新技術不斷突破
先進的封裝工藝是大勢所趨，就連臺積電也朝著這個方向努力，晶片堆疊工藝已經在蘋果的M1晶片上驗證，證實是能夠實現1+1+n＞2的效果，因此華為的研發方向是對的，在國內完成14nm產能的完全自主化之後，對於高階晶片的需求就能恢復了。
根據最新的訊息傳出，3nm晶圓單片售價突破了2萬美元，而多次漲價的5nm也僅為1.6萬美元，這其中的差距可是很大的，並且在效能上提升並不明顯，也難怪蘋果不願意採用了。
目前華為在光子晶片、超導量子晶片的研發上，已經取得了非常不錯的進展，並且掌握了大量的核心技術專利，國內首條的光量子晶片生產線已經在佈局，說明這項技術已經從理論走向了商用，距離最終的突破不遠了。
而在摩爾定律極限的限制下，EUV光刻機的研發即將到頭，全新一代的NA EUV光刻機很有可能是末代產品，雖然能夠支援兩奈米晶片的製造，但目前還沒有哪一個領域需要用到這麼高階的晶片。
先進晶片需求下滑已經成為了事實，面對智慧汽車、物聯網布局的崛起，中低端晶片的需求將會持續攀升，這樣的情況將維持至少五年左右，這五年時間足以改變很多，新技術一旦實現了突破，EUV光刻機利用率肯定是要下滑的。
因此外媒的推測是對的，再先進的技術遭到“雪藏”，終究要面臨被淘汰的命運，EUV光刻機也是如此，如果後續不能恢復市場合作，註定難以與時代接軌，對此你們是怎麼看的呢？
