作為華潤集團旗下子公司，華潤微電子是國內功率半導體的一支重要力量。
根據2017年銷售額計算，華潤微電子是國內最大的功率半導體生產商。
當然不可否認的是，即便是國內功率半導體生產商的龍頭公司，與國外巨頭還存在一定差距。
功率半導體市場中，前三大產品是電源管理IC、MOSFET、IGBT，三者市場規模佔2018年中國功率半導體市場規模比例達到95.02%。
電源管理IC晶片，是中低難度的晶片，國內做的非常成熟，在大部分領域國內公司已經做的有聲有色，但依然有少部分高階市場有待突破。
MOSFET和IGBT都屬於分立器件，所起的作用大致相同，但是應用領域稍微有不同。
其中IGBT更多應用在高壓大功率領域，比如高鐵、工業電機、MOSFET應用在中低功率但是需要高頻的領域，比如消費電子、白色家電。
就整體而言，MOSFET方面，
低壓MOSFET領域國內企業稍稍落後國外巨頭0.5-1代，高壓領域，還落後1-2 代；
IGBT已經發展到了第七代，三菱電機在2015年研發出了7。5代IGBT，瑞薩在2016年開發出了第8代IGBT。
以華潤微電子為首的國內企業，目前還只掌握第6代IGBT技術。
整個行業如此，華潤微電子在技術上與國外巨頭存在差距，自然也不可避免。
不過話又說回來，我國半導體領域薄弱，這是客觀存在的事實。
但在近些年來，國家政策的支援下，產業生態逐漸完善，人才水平逐漸提高的背景下，中國本土企業有望進一步向高階功率半導體領域邁進，這是可以預見的。
尤其是在科創板推出之後，這個目標更近了。
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國內功率器件第一大生廠商，
千億市場角逐者
功率器件，又稱電子電力器件，是半導體領域內最基礎、最重要的一個應用場景。
日常生活中，人們需要透過各種功率器件對電能進行控制、管理、利用。
比如我們日常用電是220V，但手機充電器是5V的，這中間需要一個降壓過程；同樣，為了遠距離輸送電，需要高壓輸電，這裡又需要一個升壓的過程，此外還有交直流電轉化，以及小電壓推動大電流實現更高的功率密度等。
要想實現這些功能，都要依靠功率器件。可以說，所有有電的地方，就有功率器件。
近年來，隨著功率半導體的應用領域從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智慧電網、變頻家電等諸多市場，市場規模呈現穩健增長態勢。
根據IHS Markit 預測，2018年全球功率器件市場規模約為391億美元，預計至2021年市場規模將增長至441億美元，超過3000億人民幣。
華潤微電子正是這千億市場掘金者。根據2017年度銷售額計算，華潤微電子是中國規模最大的功率器件企業。
從商業模式上看，華潤微電子是典型的IDM企業，即設計、製造、封測均為自主完成。
對於功率半導體來說，製造的難點在於工藝經驗，透過將晶片做薄、單位面積功率密度做大來形成自己的核心優勢，這就需要生產企業對產業鏈的理解和掌控。
IDM 模式一方面可以降低成本提升盈利能力，另一方面 可以掌握全部生產過程，可以根據不同產品需求生產不同電性功能的晶片，從而使得生產更具彈性，有效提升機器產量利用。這是主流的功率器件生產模式，2018年全球前十大功率器件生產商都為IDM模式。
當然，華潤微電子主要收入不僅僅來自於功率器件。
招股書顯示，華潤微電子業務分為產品與方案、製造與服務兩大業務板塊。
產品與方案板塊，分為功率半導體、智慧感測器與智慧控制領域設計、生產和銷售。
2018年，產品與方案板塊收入26。83億元，佔比42。90%。其中功率半導體當然是主要收入來源，達到24。18億元。
製造與服務就很好理解。公司利用晶圓生產線提供製造服務。2018年，該部分收入達到35。71億元，佔比57。10%。
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主要產品還落後國際巨頭1—2代，但它在奮起直追！
作為中國功率半導體的龍頭企業，雖然在國內已經屬於“大哥”，但是和國外大公司相比，華潤微電子還處於奮起直追階段。
當下，全球主要功率器件市場被國外巨頭把持。
如消費領域為西門子、安森美的天下；中等電壓的工業級市場基本被ABB、英飛凌、三菱電機所把持；而在3300V以上高電壓領域，更是被英飛凌、ABB、三菱電機三家所壟斷。
中國功率半導體市場中，前三大產品是電源管理IC、MOSFET、IGBT。三者市場規模佔2018年中國功率半導體市場規模比例分別為60。98%，20。21%與13。92%。
由於國內企業技術不佔優勢，這幾大市場，同樣被這些國際巨頭佔領。
電源管理IC在電子裝置中承擔變換、分配、檢測等電能管理功能。是中低難度的晶片，國內做的非常成熟，在大部分領域國內公司已經做的有聲有色，但少部分高階市場還待突破。
華潤半導體並未披露其在電源管理IC具體收入，不過佔比不會太多，畢竟華潤微電子收入主要來自分立器件的MOSFET。
MOSFET全稱金氧半導體場效電晶體，是一種可以廣泛使用在模擬與數位電路的場效應電晶體。
目前，公司MOSFET相關產品技術在國內企業中領先。
2018年，公司國內MOSFET銷售收入16億元，僅次於英飛凌和安森美。
但相比英飛凌和安森美，華潤微電子差距不小。
可以看到，2018年，英飛凌和安森美在國內的收入分別達到52億元和31億元。
這也可以理解，國外企業在MOSFET 領域深耕了幾十年，國內企業起步較晚。
“目前，在低壓MOSFET 領域國內落後國外0.5-1代，高壓落後1-2 代。”中泰證券在去年9月份研報中指出。
技術的差距，同樣體現在IGBT上。
IGBT全稱絕緣柵雙極電晶體，是由雙極型三極體BJT和MOSFET組成的複合全控型電壓驅動式功率器件。IGBT 具有電導調製能力，相對於MOSFET和雙極電晶體具有較強的正向電流傳導密度和低通態壓降。
目前IGBT已經發展到了第七代，三菱電機已經研發出了第8代IGBT，瑞薩在2016年開發出了第8代IGBT，效能較第7代提升30%。每一代的推出，都使得IGBT效能更加優秀，體積、厚度更加小。
華潤微電子目前掌握了第6代IGBT技術，這是國外巨頭們在2003年掌握的技術。
這也可以理解，我國在半導體領域起步較晚，在積體電路技術距離世界領先還有很大距離，這是客觀存在的事實，並不只存在於華潤微電子身上。
近些年，在國家政策支援，產業生態逐漸完善，人才水平逐漸提高的背景下，中國本土企業有望進一步向高階功率半導體領域邁進。
尤其是在科創板推出之後，這一目標更近了。
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擬募資30億繼續發力，
加了油的華潤微電子是否更值得期待？
算上華潤微電子，科創板已經受理超過10家涉及積體電路的公司。積體電路公司已成為科創板最龐大的一個群體。
這也可以理解，在中國經濟轉型升級的路上，積體電路工業是最核心的陣地。但積體電路又是一個極其燒錢的行業，因此除了國家的支援，更少不了資本市場的幫助。
根據招股書披露，這次申請科創板上市，華潤微電子擬募集資金30億元。募資主要投向8英寸高階感測器和功率半導體建設專案。
打造一條晶圓生產線，是極其燒錢的。
正常情況，一條28nm工藝積體電路生產線的投資額約50億美元，20nm工藝生產線更是高達100億美元。
雖然功率器件不需要如此先進的製程。
招股書顯示，目前涵蓋的是1.0-0.11μm製程，但這也足夠燒錢，該專案總投資額高達23.11億元。
華潤微電子表示，募投專案主要提升8英寸BCD工藝平臺的技術水平並擴充生產能力。BCD工藝是一種主流的工藝，所生產的產品銷路基本不愁。
除了功率半導體之外，華潤微電子也將發力MEMS領域。提升8英寸BCD工藝平臺的同時，建立8英寸MEMS工藝平臺，完善外延配套能力，保持技術的領先性。
此外，華潤微電子表示將要投資6個億，重點支援SiC，GaN等第三代半導體。
SiC和GaN作為新一代半導體材料。在功率領域，（GaN還能用於光電和5G通訊），SiC和GaN優勢非常明顯。
從下圖中可以看出，從智慧電網到高鐵、到工業機電、新能源汽車、消費電子領域，採用SiC/GaN功率模組的情況下，明顯比矽基功率產品更省電、更低損耗、更節能、更小體積、更好的可靠性。
採用SiC/GaN 材料做成的功率器件，對比Si器件的具有明顯的提效、節能優勢
Yole 2017年統計，雖然當時全球第三代半導體市場規模僅3億美金，但是行業增速可能會超過40%
。預測到2025年能達到35億美金以上，相當可觀。
作為國內功率器件第一大生廠商，華潤微電子的硬核屬性不必說，登陸科創板自然也不是問題。
屆時，登陸科創板的華潤微電子，是否更值得期待呢？
