深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
圖12在相同的設定和開關條件下,比較了相同晶片的4引腳TO247和3引腳TO247 SiC MOSFET封裝,強調了柵極反饋的影響...
圖12在相同的設定和開關條件下,比較了相同晶片的4引腳TO247和3引腳TO247 SiC MOSFET封裝,強調了柵極反饋的影響...
開通 關斷大家可以從下表看下RG對於IGBT開關特性的影響:所以,需要根據IGBT的實際電流密度、電壓等級以及工作頻率等具體因素選擇...
這是使用分立式IGBT的小功率Inverter相間短路時的波形,振得厲害的是柵極電壓Vge和集射極電壓Vce,高頻振盪的同時其振盪幅值也很高,雖然在短時間測試中無法出現故障,但是長時間執行中可能便會發生失效...
該管生產時 所使用的零部件似乎與RME TUBES的EL34相同,但讓人不可 思議的是這兩種管子所發出的聲音有明顯的不同...
4結束語本文分別從離子推力器放電室、離子光學系統和空心陰極(包含放電陰極和中和器)等關鍵元件切入,從結構、材料和工作特點等方面,對離子電推進技術發展現狀進行了詳細討論,並結合未來航天任務應用需求,總結了離子電推進技術發展趨勢和存在的挑戰...