電學效能測試是評估器件結構和工藝製造是否成功的關鍵，一般在工藝製造過程中會進行過程檢查，在完成所有工藝後會進行最終的電學效能測試。
SiC 功率器件的電學效能測試主要包括靜態、動態、可靠性、極限能力測試等，其中：
（1）靜態測試：透過測試能夠直觀反映 SiC 器件的電學基本效能，可簡單評估器件的效能優劣。
各種靜態引數為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據、同時在功率器件檢測維修中發揮了至關重要的作用。
（2）動態測試：主要測試 SiC 器件的開關效能。
通常我們希望的功率半導體器件的開關速度儘可能得高、開關過程段、損耗小。但是在實際應用中，影響開關特性的引數有很多，如續流二極體的反向恢復引數，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對於此類引數的測試，變得尤為重要。開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁相容性。直接影響變換器的效能。因此準確的測量功率半導體器件的開關效能具有極其重要的意義。
（3）可靠性測試：考量 SiC 器件是否達到應用標準，是商業化應用的關鍵。
半導體功率器件廠家在產品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產品的長期耐久效能。如HTRB-高溫高壓反偏測試，HTGB-高溫柵偏測試，H3TRB-高溫高溼反偏測試，HV-H3TRB 高壓高溫高溼反偏測試，PC-功率迴圈測試等。
（4）極限能力測試：如浪湧電流測試，雪崩能量測試
浪湧電流是指電源接通瞬間或是在電路出現異常情況下產生的遠大於穩態電流的峰值電流或過載電流。
雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。
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