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上篇我們聊了聊SiC相比於Si來說的主要特點，今天我們來聊聊SiC MOSFTE的導通電阻Ron~
”
1980年前後，巴利加發明瞭絕緣柵雙極型電晶體IGBT，前面我們也是很多篇幅都是在聊IGBT，其結合了BJT和MOSFET的優勢，從而帶來了逆變電路的革新。而在1980年的時候，SiC晶體生長的突破也使得其器件的研發，並且
1991年的時候釋出了第一批商用SiC晶片。
1994年，經過結構和工藝的最佳化後，電阻率得到了改善，並於
2001年釋出了第一款SiC SBD。
其典型應用之一是用在電源中的快速二極體，由於其反向恢復快到可以忽略，所以能夠顯著地降低開關損耗和提高開關頻率，從而減小無源器件的尺寸。所以，SiC SBD被迅速用於各種電源系統，如電源、光伏系統、空調等，並且SiC二極體的最大阻斷電壓已經能夠超過25kV。
隨著SiC SBD的發展，基於SiC的MOSFET也在不斷地發展和進化。隨著MOSFET溝道遷移率和氧化物可靠性不斷提升，
2010年開始，SiC功率MOS開始商業化
，市場不斷擴大。根據系統中採用SiC器件比例的大小，電源或者逆變器的體積和重量能夠減少2-10倍，功率密度大幅提升；同時功耗也是顯著降低，帶來的是轉換系統效率越來越高。
下面我們就來聊聊SiC MOSFET的一些事兒~
首先，我們來聊聊導通電阻Ron，下面是一張SiC MOSFET導通電阻主要組成的示意圖：
功率MOS的導通電阻主要包括多個電阻的串聯，對於SiC MOSFET來說，其漂移層電阻相比於具有相同阻斷電壓的Si功率MOS來說低了100倍以上。
而溝道電阻和JFET電阻(兩個相鄰p阱之間的電阻)是阻斷電壓高達2-3kVSiC MOS的主要因素；高於3-5kV的時候，其導通電阻主要由漂移層電阻決定，類似於600V-1200V矽MOS的情況。
上面的示意圖是平面雙注入的DIMMOSFET的，為了改善溝道遷移率對SiC MOS溝道電阻的限制，我們可以採用下面的方法：
★增強溝道流動性
★減小溝道長度
★減小單元間距
減小溝道長度有利於降低導通電阻，但是需要注意溝道效應的影響，否則閾值電壓會降低，漏電流會增大；而減小單元間距，可以有效地增加單元密度，但是p阱地間距變短時，JFET電阻相應地會大大增大，這些都需要權衡，溝槽式的MOS理論上沒有JFET電阻，所以可以進行大規模地縮短單元間距，這也
是為什麼溝槽MOS導通電阻非常小的原因之一。
今天的內容比較簡單，不盡詳實還請包涵，希望你們能夠喜歡~
