晶片領域已經成為了我們國家眾多企業關注的焦點，一方面是晶片已經是眾多行業必備的材料，一方面是晶片領域已經被其他國家所壓制，明顯阻礙到我們國家眾多行業發展。因此我們國家對於晶片的研究也加大了力度，據最新訊息，我們的國產芯研發進度有望超車。
我們國家在晶片領域技術落後是現實問題，因為我們的晶片發展晚了西方國家很多年，當我們有能力去發展晶片技術的時候，西方國家的晶片技術已經甩了我們幾條街，並且西方國家為了限制我們的發展，對我們實行技術封鎖。隨著晶片在我們各行各業的發展中佔據重要地位，晶片技術的突破刻不容緩。
前兩代的晶片技術我們在很長一段時間裡都很難突破的了，所以我們只能另闢蹊徑，開始在第三代晶片上進行研發，因為現在第三代晶片技術所有國家都尚未有進展，西方國家也更加不可能有能力對我們國家進行技術封鎖，我們進行研發的難度也就稍微小一點，這是我們晶片領域實現超車的最好機會。
目前第三代晶片研究以碳化矽為主，我國走在前面的是合肥的相關企業和學術機構，因為其計劃著成為我們國家的第二大晶片基地，據瞭解合肥的中國科技大學與匈牙利的學者達成了初步的合作，實現了單個碳化矽雙空位色心電子自旋在室溫之下操控及讀出，這對於我們開發碳化矽成為半導體的材料有很大的幫助。
除了合肥相關企業和學術機構的研究，新能源汽車領域也在進行了嘗試，比亞迪在漢EV高效能四驅版上搭載上了碳化矽元件，這是比亞迪在碳化矽材料的首次嘗試，特斯拉也在最新的一款車型上搭載了碳化矽的逆變器，隨著新能源汽車與碳化矽材料的不斷嘗試，我們未來將碳化矽應用到晶片材料商就更加有信心。
由於第三代晶片材料大部分用於光伏、新能源汽車以及是5G網路等領域，而這些領域的市場又恰好在中國，所以說未來中國會是碳化矽材料最集中的地方，而這也是最有利於我們國家推進碳化矽研究的進度。
有網友就疑惑，為何第三代晶片材料是碳化矽呢？對於第三代晶片材料的要求是有矽的特性，同時還要滿足新出現裝置的應用，相比於其他的材料碳化矽是最適合的。
碳化矽作為矽基的取代材料，既擁有矽的各種優勢，又填補了矽的劣勢，並且還具備抗高壓高溫，甚至是高頻的特點。特別值得一提的是，在效能一樣的情況下，碳化矽的尺寸更加的小，能量損失也會相比於矽膠晶圓小很多，這就使得碳化矽的工作效率高很多。
正是因為碳化矽的優勢遠遠大於第二代晶片材料，所以各個國家對於碳化矽的研究也就非常重視，如果碳化矽成功的被應用，將會使得晶片製造水平又高一個臺階。
我們目前對於第三代晶片材料的研究可謂是備受關注，因為這涉及我們國家能否趕上西方國家的晶片技術水平，甚至是有沒有可能會趕超。我們的晶片技術一直不被重視，原先就因為實力不夠沒有辦法跟上西方國家的晶片技術，後又有漢芯造假的事件，寒了很多本土企業的心，嚴重影響中國晶片技術突破的程序。
而在我們終於醒悟晶片技術非常重要的時候，西方國家開始對我們國家進行技術封鎖，甚至是不對我們國家提供晶片，就如19年的時候，華為因為5G網路趕超美國，就被美國斷供晶片。而且我們國家希望向ARM購買一臺光刻機，也遲遲得不到迴應。
現在的晶片領域，可以說是被西方國家所壟斷，由於西方國家已經掌握了很多的第二代晶片材料的專利，我們想要繞開這些專利去突破十分困難，所以我們只能盡最大的可能在第三代晶片材料上突破，搶先在西方國家有專利之前，才有可能結束被技術封鎖的局面。
對於碳化矽的研究不僅僅是關乎晶片領域，更是關乎我們國家眾多行業的發展了，我們如果在第三代晶片材料上不能趕超其他國家，那麼我們將會繼續面臨技術封鎖的局面，未來我們在其他領域有所趕超也依然會被其他國家限制住，無法有大展身手之地。
