今日，三星官方宣佈已開始量產基於極紫外光（EUV）技術的14nm DRAM。
三星表示，繼去年3月推出首款EUV DRAM後，又將EUV層數增加至5層，為DDR5解決方案提供當下更為優質、先進的DRAM工藝。
根據最新DDR5標準，三星的14nm DRAM速度高達7。2Gbps，比DDR4的3。2Gbps快兩倍多。
三星指出，隨著DRAM工藝不斷縮小至10nm範圍，EUV技術能夠提升圖案准確性，從而獲得更高效能和更大產量，因此該項技術變得越來越重要。
據介紹，透過在14nmDRAM中應用5個EUV層，三星實現了自身最高的單位容量，同時，整體晶圓生產率提升了約20%，與前代DRAM工藝相比，14nm工藝可幫助降低近20%的功耗。
值得一提的是，三星還計劃擴充套件其14nm DDR5產品組合，以支援資料中心、超級計算機與企業伺服器的應用。
同時，三星預計將14nm DRAM晶片容量提升至24GB，以搞好滿足全球IT系統快速增長的資料需求。
三星電子高階副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee 表示，“透過開拓關鍵的圖案技術，三星活躍全球DRAM市場近三十年”。
他強調，如今，三星正在透過多層EUV建立起另一個技術的里程碑，該技術實現了14nm的極致化，這也是傳統氟化氬 （ArF） 工藝無法實現的。
在此基礎上，三星將繼續為5G、AI和元宇宙中需要更高效能和更大容量的資料驅動計算，提供最具差異化的記憶體解決方案。
