離子注入

摻雜-擴散和離子注入

由於高能離子注入之後帶來的晶格損傷，會使得半導體的遷移率和壽命等引數受到較為嚴重的影響，同時，在注入時大部分的離子並不是在替位的位置，為了啟用注入離子並恢復遷移率等相關引數，必須在適當的時間和溫度下將半導體退火...

前不久中芯國際在成熟製程工藝獲得美國許可，14nm工藝良品率完成突破，晶片生產裝置的自主化成為目前需要解決的“卡脖子”問題...

萬業企業控股孫公司北京凱世通半導體有限公司（以下簡稱“北京凱世通”）與芯成科技（紹興）有限公司（以下簡稱“芯成科技（紹興）”）簽署銷售合同，擬出售3臺12英寸積體電路裝置，分別為低能大束流重金屬離子注入機（Sb implanter）、低能大...

北方華創是國內規模最大、裝置覆蓋面最廣的半導體裝置公司，在刻蝕裝置、PVD/CVD裝置、氧化/擴散裝置、清洗裝置等多個關鍵領域取得技術突破，打破了國外巨頭壟斷，相關產品進入中芯國際、長江儲存、華虹宏力等多條主流晶圓產線...

中國晶片在離子注入機、刻蝕機、光刻膠這三大晶片製造環節技術中，都取得了相應的突破進展...

為了擺脫美國在科技領域的壟斷，歐盟準備斥巨資將晶片行業做強，中國也意識到了推動晶片程序有著很重要的作用，並且將第三代半導體產業寫入“十四五”規劃中，最新訊息顯示，中國電科旗下裝備子集團已成功實現離子注入機全譜系產品國產化，包括中束流、大束流...

三、國芯實現三大突破，西方開始妥協了當然，光子晶片作為半導體行業最前沿的技術，從研發到應用需要的週期肯定很長，因此大力發展矽基晶片依然迫在眉睫，近段時間，國產晶片領域好訊息不斷，國芯已經實現三大突破，第一大突破就是光刻裝置的光源技術，近日清...

現在，中國在各種晶片製造技術上逐步突破，漂亮國開始驚慌，對此，漂亮國的態度又會如何呢...

在2020年6月，電科裝備高能離子注入機迎來突破，實現百萬電子伏特高能離子加速...