三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

臺積電方面,3nm繼續使用FinFET技術,號稱相比於5nm電晶體密度增加70%,效能可提升11%,或者功耗可降低27%,預計今年晚些時候投入試產,明年量產,客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等,甚至據說In...

2021-09-28
晶片製程的極限在哪裡?

晶片製程的極限在哪裡?

這時候環繞式柵極電晶體,即GAAFET技術成為新的選擇,不同於FinFET,GAAFET的溝道被柵極四面包圍,溝道電流比三面包裹的FinFET更加順暢,能進一步改善對電流的控制,從而最佳化柵極長度的微縮,新技術的出現,不斷改善晶片製程的設計...

2021-07-04