眾所周知，在目前世界晶片生產領域內，來自臺灣的積電是全球晶片代工業的領頭羊，對於臺積電這樣的頭部企業來說，居安思危一直習以為常，一直以來臺積電為了增加自身的核心競爭力，多年以來未雨綢繆，不斷地實現著自身突破，近年來，更是在1奈米的生產方面實現了巨大的突破。
不過有意思的卻是臺積電這一技術的重大突破卻與我國晶片產業有關，因為臺積電的“根”在一定程度上被我們大陸所把握。
在前幾年的時候，美國為了阻止中國的崛起，對中國進行了各個方面的制裁，其中就包括在晶片領域的禁令。而臺積電受制於美國，所以在美國宣佈這個訊息的時候，臺積電就緊跟其後不給中國華為提供生產服務了。
但是中國有句古話說得好，留得青山在，不怕沒柴燒，作為一個生意人，儘管逐利沒有錯誤，但是還是應該堅守底線，如果放棄心中的底線，必然會遭到報應。
前面說到臺積電的技術突破與中國有著關係，到底是怎麼回事呢？
這還要從世界上在半導體行業的一條鐵則說起——摩爾定律。
但是在大約一年半以前，有人甚至提出了摩爾定律將會放緩，並且預言它將失效。隨著摩爾定律速度的逐漸放慢，有人認為未來的矽片規格不會滿足1奈米和1奈米以下的晶片工藝要求。
所謂的摩爾定律就是“積體電路的電晶體密度會在每18至24個月翻一番。
在過去的很多年裡面，晶片一直在以驚人的速度發展，但是自從摩爾定律被提出以來，它的發展只持續了半個世紀。
在本世紀初期，晶片製造工藝最初的密度是130 nm，後來在2004年的時候，90nm的製作工藝橫空出世，著名的奔騰4就採用了這一工藝，使之在效能上得到了很大的提升，銷量一度很好。
隨著製作工藝的不斷進步，半導體產業的發展也不斷向前，當時的英特爾、英菲林、德州儀器、 IBM等公司很快地就掌握瞭如何製作90 nm，這都引領了當時的半導體行業。
但是隨著時間的不斷髮展，晶片行業也發生了變化，各個廠商的發展並不一樣。多家公司都受到了瓶頸，像英特爾就被困在10 nm，格芯被困在7 nm，現在的5 nm工藝就更難了，只剩了三星和臺積電。儘管三星已經很努力了，但是仍然落後於臺積電一點。
但是臺積電也並非一路順風，在從5 nm到3 nm的這一個關鍵地方，臺積電也表現出有點力不從心了，但是由於臺積電一直與研究機構合作，共同研究製程工藝。
在此基礎上，臺積電的工藝一步步推進，這次又取得了很高的突破，但是1nm的原材料，是和大陸有關係的。
從圖中我們可以看出今天台積電所提出的半金屬鉍（Bi）在全球各國的儲量比例。
我們國家半金屬鉍（Bi）的儲量是24萬，而全球的儲量是32萬，我們國家的儲量就佔到全球的75%。什麼意思，不用多說了吧。
我們中國不僅地大物博，礦藏豐富而且出口的礦石也是非常多的。目前對於臺積電的1奈米晶片取得突破，在半金屬鉍（Bi）的使用上將會顯著增加，
目前的半金屬鉍的生產主要分為兩個流程，一個就是臺積電自身的沉積過程，另外一個就是他們的隊伍所研發的氦離子束微影系統。
雖說臺積電有了提高的技術，但是對於他們來說，原材料依然是個問題。而這對內地來說的確是個難得的機會。
中國作為地大物博的原材料大國，自然是各種稀有礦石都有，這樣的話中國半導體的地位必將隨之提高。由於我公司在鉍礦市場上自然佔有最大的優勢。
