9月16日，蔚來 ET7 首批全工藝生產線試製車正式下線，這也標誌著離最終量產更進一步，預計首批新車將於2022年一季度交付，售價為 44。8-52。6 萬元。這個價格區間在目前國內的新能源車市場是獨樹一幟的，幾乎無競爭對手。
眾所周知，蔚來一直以來堅持走高階路線，而高階化已成許多車企面對的難題。在電動汽車一哥——特斯拉將產品價格一降再降，傳統車企與眾多造車新勢力相互殺的熱火朝天的同時，面對這麼高的價格，估計大家心裡都有一個疑問“消費者會買賬嗎？”。
有句話叫“貴有貴的道理”，想走高階路線必要有其過人之處。
150kWh電池包續航超1000公里、風阻係數0。23Cd、最大功率480千瓦，峰值扭矩850牛米，零到百公里加速3。9秒、百公里制動33。5米等。
看到這些著實讓人眼前一亮，今天我們就來看看蔚來 ET7 是如何詮釋“高階產品”一詞？又有哪些黑科技值得我們關注？
1. 兩大自動駕駛“法寶”：鐳射雷達與超算平臺
蔚來AQUILA超感系統配備了33個高精度感測器，包括1個超遠距離高精度鐳射雷達、11個800萬畫素高畫質攝像頭、5個毫米波雷達、12個超聲波雷達、2個高精度定位單元、1個車路協同感知和1個增強主駕感知。
蔚來ET7釋出的高精度鐳射雷達位於車頂上方，視角與效能非常優秀，由蔚來參投的國內鐳射雷達製造商 Innovusion 提供。根據 Innovusion 公佈的鐳射雷達原型機資訊，該高精度感測器可實現500米300線的高精度遠距離探測，鐳射探測效能業內領先。
Innovusion 獵鷹系列鐳射雷達關鍵指標
另決策層面上，蔚來ET7搭載了四顆NVIDIA Drive Orin晶片，可提供量產車前所未有的超1000TOPS算力，與高精度鐳射雷達相結合，將有機會實現 L4 自動駕駛。
2. 150kWh“固態電池”加持，續航里程可達 1000 km
續航問題也是新能源汽車行業較為關心的話題，目前新能源汽車續航里程相較過去有了較大的提升，很多車都能達到500km以上，極少部分車型（如特斯拉 Model S、小鵬P7、極狐阿爾法S）能夠達到700km甚至是800km。
蔚來ET7提供的是三元鋰電池和固態電池，其中三元鋰電池容量為70kWh和100kWh，對應的續航里程分別為500km和700km；
固態電池容量為150kWh，續航里程為1000km，是目前全球容量最高的電池包，相較於100kWh NCM811鎳鈷錳電池包提升了50%
。
蔚來所謂的固態電池其實稱之為“混合固液電解質鋰電池”或“半固態電池”更為合適。
固態電池相較傳統鋰電池最大的區別在於電解質，採用固態電解質替代了電解液及隔膜，相較傳統鋰電池具有高能量密度、高安全性等突出特點，
但目前仍處於實驗室研究階段
，仍需解決導電率差、迴圈效率低、製備工藝複雜等難題。
半固態電池是一種新型電池技術，其電極懸浮液主要由活性材料、導電新增劑和電解液組成。電池的正極和負極懸浮液分別裝在兩個儲液罐中，利用送液泵使懸浮液在電池反應室和外部儲液罐之間迴圈流動。在電池反應器內部，正極和負極懸浮液用離子隔膜分隔開。充電時，電池內部離子從正極向負極運動，電子經由外電路從正極向負極運動，而放電時，離子與電子的運動方向與充電時相反。
半固態電池原理圖
半固態電池的優勢是儲能容量和功率可獨立調控
，即儲能容量由儲液罐的大小決定，功率由電池反應室的大小決定。另外，正、負極材料的利用率相比於傳統電池有所提高，且電極懸浮液中的電解液便於更換或補充。透過對電極懸浮液的成分和電池結構進行最佳化，可進一步提高電池的電化學效能，降低其綜合成本。
3. “前永磁+後感應”雙驅動電機配合碳化矽技術，完美兼顧效能與續航
動力方面，蔚來 ET7 搭載率前 180kw 永磁電機，後 300kw 感應電機，再配合應用碳化矽功率模組的第二代電驅平臺，整體提效顯著，可實現最大功率 480kw，峰值扭矩 850 N·m，零到百公里加速僅 3。9 秒，百公里到零制動距離 33。5 米。
純電動車電機有兩個方向：永磁電機與感應電機。
永磁電機的特點是低速工況效率高、更省電；感應電機適合高功率場景，但能耗比較高。
前後分別搭載一個永磁電機和感應電機的好處是可以同時兼顧效能與續航。
低速場景，可以作為一臺省電的前驅車；高速場景則可以作為一臺動力強勁的全驅車。
碳化矽技術也是蔚來 ET7 降低能耗的一大利器。
蔚來是繼特斯拉與比亞迪之後，第三家規模化應用碳化矽功率模組的新能源車企。
傳統矽基IGBT是目前絕大部分新能源汽車的主要選擇，而
碳化矽功率器件則是替代傳統矽基功率器件的重要發展趨勢，特別是在中高階車型的應用
。
在電動車不同工況下，SiC MOSFET 相較 Si IGBT 可帶來功耗降低 60~80%，效率提升 1~3%，由此可帶來電動車續航能力提升約 10%，實現 PCU 體積的減小以及系統成本的下降。
不同工況測試下 SiC MOSFET 與 Si IGBT 功耗對比
不同工況測試下 SiC MOSFET 與 Si IGBT 效率對比
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