比亞迪e平臺3.0重磅釋出,都有哪些重大升級?
0 時代,不僅將核心模組進一步整合化,還構建了全新的車身結構、全新的電子電氣架構,全新的車用作業系統,再一次領先行業,實現了整車架構的平臺化,充分釋放了電動車的潛能,預計可以很大程度化解困擾電動車發展的痛點,市場對此反響熱烈,期待量產車型早...
0 時代,不僅將核心模組進一步整合化,還構建了全新的車身結構、全新的電子電氣架構,全新的車用作業系統,再一次領先行業,實現了整車架構的平臺化,充分釋放了電動車的潛能,預計可以很大程度化解困擾電動車發展的痛點,市場對此反響熱烈,期待量產車型早...
圖2 現代4月和2021年新能源汽車銷量從現在的車型競爭力來看,Kona和Ioniq的電池容量梯度(續航里程梯度)是沒有特別拉開的,從各方面特性來看,Ioniq 5競爭力要比Kona和Ioniq EV強很多,按照目前歐洲和韓國的需求,這臺車...
圖6 這裡是把比較差的情況和現有的情況做對比表1 Pre Switch的效率對比(這裡主要是看節約的效能)圖7 安全保護機制以上針對的都是逆變器,透過提高逆變器控制,同時也可以減少電機的損耗...
聚碳矽烷的應用(1)碳化矽纖維SiC 纖維具有高強度、低密度、耐高溫、抗氧化、 耐腐蝕、防老化等優良的效能,且與陶瓷基體的相容性良好,是陶瓷基複合材料增強體材料不錯的選擇...
日期:2021年12月7日(週二)時間:9:30-16:30地點:廣東深圳金茂JW萬豪酒店9:30-10:00簽到林啟東10:00-10:10開幕致辭集邦科技執行長沈波10:10-10:35我國第三代半導體的發展現狀和十四五規劃佈局北京大學...
不好意思,比亞迪就是生產廠商,SiC半導體器件取自自家工廠...
0上,我們全球首創利用電機電控的電路拓撲泵升充電樁電壓思路,發明了充電和驅動複用的深度整合高電壓架構,將驅動模組的大功率元器件用在大功率充電上,一舉攻克高電壓車型大功率充電的難題,e平臺可實現充電5min,續航150km的超級充電效能...
漢的後驅電機控制器使用的是由6顆SiC組成的控制模組,如下圖:比亞迪漢碳化矽MOSFET控制模組有讀者可能會問,你為啥說後驅電機控制器必須要用這個SiC,前驅電機控制器難道不需要麼...
現場展品科技含量爆棚跟著我的鏡頭一起來看看吧 ↓ ↓ ↓ 養老智慧化解決方案:軟硬體一體化管理,應用於機構、社群和居家等不同場景下的智慧化養老裝置,為機構提供一站式升級改造方案智慧健康監測儀:輕鬆生成身體健康狀況報告,讓潛在疾病無所遁形...
0電驅動系統搭載的高效能SiC電機控制器,其SiC功率模組的規格是1200V-840A,具有高效率、高耐壓與強過流能力...
鋁碳化矽(AlSiC)金屬基熱管理複合材料,是電子元器件專用封裝材料,主要是指將鋁與高體積分數的碳化矽複合成為低密度、高導熱率和低膨脹係數的封裝 材料,以解決電子電路的熱失效問題...
摘要:近日,意法半導體中國宣佈,正式推出第三代STPOWER碳化矽(SiC) MOSFET電晶體,推進在電動汽車動力系統功率裝置的前沿應用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應用...
SK集團將在碳化矽(SiC)半導體晶圓業務上投資7000億韓元,以期到2025年成為世界高科技材料市場第一的參與者...
”▌陳剛先生在2021全球CEO峰會發表主題演講在芯生態模式下,陳剛先生深入闡述比亞迪車規級半導體整體解決方案,透過加快研發進度、縮短驗證週期、實現產品效能最最佳化、提升產品可靠性、保障供應穩定安全等各維度,以高效為核心重點提升功率半導體效...
在核心電子元器件方面,數字技術成果為SiC MOSFET電力電子器件和100G/200G矽光相干收發晶片及模組...
SiC 功率器件的電學效能測試主要包括靜態、動態、可靠性、極限能力測試等,其中:(1)靜態測試:透過測試能夠直觀反映 SiC 器件的電學基本效能,可簡單評估器件的效能優劣...
0電驅動系統搭載的高效能SiC電機控制器,其SiC功率模組的規格是1200V-840A,具有高效率、高耐壓與強過流能力...
比亞迪半導體碳化矽功率模組是一款三相全橋拓撲結構的灌封全碳化矽功率模組,主要應用於新能源汽車電機驅動控制器,主要擁有以下特點:採用奈米銀燒結工藝代替傳統軟釺焊料焊接工藝,提升了高溫可靠性,充分發揮SiC高工作結溫效能...
三類高壓系統架構可實現大功率快充根據《Enabling Fast Charging:A Technology Gap Assessment》,目前預計能實現大功率快充的高壓系統架構共有三類:(1) 電池包、電機以及充電介面均達到 1000V...
不過,中國工程院院士丁榮軍指出:“我國功率半導體產業經過長期自主創新,以閘流體為代表的第一代、第二代器件達到了世界先進水平,IGBT主流器件的研發與產業化取得了不少突破,但以碳化矽、氮化鎵等為代表的第三代寬禁帶半導體技術研發起步較晚,技術發...